本文選題：單晶硅 + 深度等離子體反應(yīng)刻蝕��； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年08期

【摘要】：采用磁控濺射法在單晶硅基片上制備鋁膜,并結(jié)合光刻技術(shù)將擒縱機構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到鋁膜。利用鋁膜不與刻蝕氣體反應(yīng)的特性,將其取代光刻膠作為深度等離子體反應(yīng)刻蝕制備擒縱機構(gòu)時硅基片的掩蔽層,并且采用干氧的方法在擒縱機構(gòu)表面生成一層SiO2薄膜。詳細研究了深度等離子體反應(yīng)刻蝕的刻蝕寬度對擒縱機構(gòu)的影響,并對擒縱機構(gòu)表面進行了詳細的SEM分析和EDS能譜分析。研究結(jié)果表明,采用鋁膜作為掩蔽層能夠?qū)η芸v機構(gòu)的表面和斷面起到很好的保護作用,擒縱機構(gòu)獲得優(yōu)良的表面質(zhì)量,且在刻蝕窗口寬度為75μm時,獲得最優(yōu)的擒縱機構(gòu)零件。
[Abstract]:Aluminum films were prepared on monocrystalline silicon substrates by magnetron sputtering, and the escapement mechanism patterns were transferred to aluminum films by photolithography. Taking advantage of the characteristic that aluminum film does not react with etched gas, the aluminum film is replaced by photoresist as the mask layer of silicon substrate for deep plasma reaction etching, and a layer of SiO2 film is formed on the surface of escapement mechanism by dry oxygen method. The effect of the etching width of the deep plasma reactive etching on the escapement mechanism is studied in detail. The surface of the escapement mechanism is analyzed by SEM and EDS spectra. The results show that aluminum film as the mask layer can protect the surface and section of escapement mechanism well. The escapement mechanism can obtain excellent surface quality and obtain the best escapement parts when the width of the etching window is 75 渭 m.
【作者單位】： 陜西理工大學(xué)機械工程學(xué)院;輕工業(yè)鐘表研究所精密機電事業(yè)部;
【基金】：陜西省科技廳工業(yè)攻關(guān)項目(2016GY-050) 陜西省教育廳重點實驗室重點科研攻關(guān)項目(12JS033)
【分類號】：TN305.7

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：1951171