本文選題：六角氮化硼 + 電阻轉(zhuǎn)變�。� 參考：《物理學(xué)報(bào)》2017年21期

【摘要】：報(bào)道了一種基于多層六角氮化硼(h-BN)二維薄膜的憶阻器件.該器件不需要電預(yù)處理過程,且具有自限流的雙極性阻變行為;具有較好的抗疲勞性和較長的數(shù)據(jù)保持時(shí)間.該器件在脈沖編程條件下具有模擬轉(zhuǎn)變特性,即在連續(xù)的電壓脈沖下器件的電阻態(tài)能被連續(xù)地調(diào)控,使得該器件能夠模仿神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的神經(jīng)突觸權(quán)重變化行為.綜上所述,基于多層h-BN的憶阻器具有應(yīng)用在非易失性存儲(chǔ)和神經(jīng)計(jì)算中的潛力.
[Abstract]:A novel mnemonic device based on multilayer hexagonal boron nitride h-BN (h-BN) thin films is reported. The device does not require electrical preprocessing and has self-limiting bipolar resistive behavior, good fatigue resistance and longer data retention time. The device has the characteristic of analog transition under the condition of pulse programming, that is, the resistance state of the device can be continuously regulated under the continuous voltage pulse, which enables the device to imitate the neural synaptic weight change behavior in the neural network system. In conclusion, multilayer h-BN based memory devices have the potential to be used in nonvolatile storage and neural computing.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61521064,61422407,61474136,61334007,61404164,61574166,61522408) 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2017YFB0405603,2016YFA0201803) 中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(B類)(批準(zhǔn)號(hào):XDPB0603)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TN60

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本文編號(hào)：1940153