本文選題：摻鎂ZnO(MgxZn-xO) + 薄膜體聲波諧振器�。� 參考：《壓電與聲光》2017年01期

【摘要】：固體裝配型薄膜體聲波諧振器(FBAR)機(jī)械強(qiáng)度好,尺寸小,可在硅片上三維立體集成,靈敏度大,在未來的通信設(shè)備制作高帶通濾波器和物聯(lián)網(wǎng)傳感器中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。通過射頻磁控濺射系統(tǒng)制備了以摻鎂ZnO(MgxZn1-xO)作為壓電層的固體裝配型薄膜體聲波諧振器,研究了摻鎂ZnO對(duì)薄膜體聲波諧振器諧振性能的影響。利用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)對(duì)FBAR的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了微觀表征。比較了不同摻鎂ZnO靶材對(duì)于晶向和諧振性能的影響。通過優(yōu)化條件,制備出了性能優(yōu)越的FBAR,其諧振頻率在1.8~2.4GHz,品質(zhì)因數(shù)(Q)可達(dá)800,回波損耗可達(dá)-30dB。
[Abstract]:Solid assembled thin film bulk acoustic resonator (FBARs) has good mechanical strength, small size, 3D integration on silicon wafer and high sensitivity. It will be widely used in future communication equipment to fabricate high bandpass filters and Internet of things sensors. A solid assembled bulk acoustic resonator with magnesium-doped ZnO-MgxZn1-xO as piezoelectric layer was prepared by RF magnetron sputtering system. The effect of magnesium-doped ZnO on the resonant performance of the thin film bulk acoustic resonator was studied. The microstructure of FBAR was characterized by field emission scanning electron microscope (FESEM). The effects of different magnesium-doped ZnO targets on the crystal orientation and resonance properties were compared. The excellent performance of FBARs was obtained under the optimized conditions. The resonant frequency of FBARs was 1.8g / 2.4GHz, the quality factor was 800, and the echo loss was -30dB.
【作者單位】： 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家科技基金資助項(xiàng)目(2011AA050504)
【分類號(hào)】：TN65

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本文編號(hào)：1937760