本文選題：有機薄膜晶體管 + 表面能�。� 參考：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年04期

【摘要】：為了實現(xiàn)在微尺度范圍內(nèi)有機半導(dǎo)體的取向生長,提出了一種基于不對稱金-石墨烯電極的底接觸有機薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體前驅(qū)體溶液在不同襯底上表現(xiàn)出的不同接觸角將打破液體/空氣界面處的表面張力與表面能的總體平衡,形成馬蘭戈尼流并促使溶液在低潤濕性的石墨烯電極表面的接觸線快速后退。實驗結(jié)果表明,基于這種不對稱電極制備的底接觸有機薄膜晶體管(OTFT)陣列的平均遷移率顯著提升,達(dá)到常規(guī)對稱結(jié)構(gòu)器件的2倍,同時器件遷移率的相對標(biāo)準(zhǔn)差從53%下降到33%。該不對稱器件結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了半導(dǎo)體薄膜在器件溝道處的取向生長,從而提高了器件遷移率與均勻性。
[Abstract]:In order to realize the oriented growth of organic semiconductors in microscale, a novel structure of bottom contact organic thin film transistors based on asymmetric gold-graphene electrodes is proposed. The different contact angles of the semiconductor precursor solution on different substrates will break the overall equilibrium between the surface tension and surface energy at the liquid / air interface. The formation of the Ma Lan Goni current and the rapid retreat of the contact line of the solution on the surface of the low wettability graphene electrode. The experimental results show that the average mobility of the bottom contact organic thin film transistor (OTFT) array based on this asymmetric electrode is significantly increased, which is 2 times of that of the conventional symmetrical device, and the relative standard deviation of the device mobility decreases from 53% to 33%. The asymmetric device structure realizes the orientation growth of semiconductor film at the channel of the device, which improves the mobility and uniformity of the device.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)光電技術(shù)院特種顯示技術(shù)國家工程實驗室省部共建現(xiàn)代顯示技術(shù)國家重點實驗室(培育基地)特種顯示技術(shù)教育部重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51203039,21174036,51573036) 科技部973計劃前研專項(2012CB723406)
【分類號】：TN321.5

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本文編號：1924506