本文選題：納米級(jí)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路 + 器件溝長　； 參考：《太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào)》2016年06期

【摘要】：介紹互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路的發(fā)展歷程及納米級(jí)CMOS集成電路的關(guān)鍵技術(shù),在此基礎(chǔ)上研究了納米級(jí)CMOS集成電路的輻射效應(yīng)及輻射加固現(xiàn)狀。研究結(jié)果表明,納米級(jí)FDSOICMOS集成電路無需特殊的加固措施,卻比相同技術(shù)代的體硅CMOS集成電路有好得多的輻射加固能力,特別適用于空間應(yīng)用環(huán)境。
[Abstract]:The development of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits and the key technologies of nanoscale CMOS integrated circuits are introduced. Based on this, the radiation effect and radiation reinforcement status of nanoscale CMOS integrated circuits are studied. The results show that the nanoscale FDSOICMOS integrated circuit does not need special reinforcement measures, but it has much better radiation strengthening ability than the bulk silicon CMOS IC with the same technology, which is especially suitable for space applications.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;
【分類號(hào)】：TN432

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本文編號(hào)：1923326