本文選題：銅鋅錫硫(CZTSSe) + 襯底溫度　； 參考：《光電子·激光》2017年03期

【摘要】：采用熱蒸發(fā)法制備銦鋅錫硫(CZTSSe)薄膜。采用低溫一步法在300℃襯底溫度下制備CZTSSe薄膜;采用兩步法,即在襯底溫度分別為300℃和480℃制備CZTSSe薄膜;將襯底溫度設定為480℃不變,一步蒸發(fā)沉積CZTSSe薄膜。通過對X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、拉曼譜對比發(fā)現(xiàn),在300℃低溫下一步法和300℃、480℃兩步法沉積的薄膜表面粗糙,碎小晶粒較多;在480℃一步高溫法制備的薄膜表面平整,晶粒大小均勻,3個衍射峰的半高峰寬變窄,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量得到改善,且沒有發(fā)現(xiàn)其它雜相的拉曼特征峰,沉積出適合作為制備CZTSSe薄膜太陽電池的吸收層。
[Abstract]:Indium zinc tin sulfide (CZTSSee) thin films were prepared by thermal evaporation. CZTSSe thin films were prepared at 300 鈩，

本文編號：1922901