本文選題：GaN + 高電子遷移率晶體管(HEMT)　； 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年06期

【摘要】：GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)因具有高輸出功率密度、高工作頻率、高工作溫度等優(yōu)良特性,在高頻大功率等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。目前,HEMT器件在材料生長(zhǎng)和工藝制備方面都取得了巨大的進(jìn)步。但是,由缺陷產(chǎn)生的陷阱效應(yīng)一直是限制其發(fā)展的重要原因。本文首先論述了HEMT器件中的表面態(tài)、界面缺陷和體缺陷所在位置及其產(chǎn)生的原因。然后,闡述了由陷阱效應(yīng)引起的器件電流崩塌、柵延遲、漏延遲、Kink效應(yīng)等現(xiàn)象,從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)角度,總結(jié)提出了改善缺陷相關(guān)問(wèn)題的主要措施,其中著重總結(jié)了器件蓋帽層、表面處理、鈍化層和場(chǎng)板結(jié)構(gòu)4個(gè)方面的最新研究進(jìn)展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相關(guān)問(wèn)題上的未來(lái)優(yōu)化方向。
[Abstract]:GaN based high electron mobility transistor (HEMT) has a wide application prospect in high frequency, high power and other fields because of its high output power density, high working frequency, high working temperature and so on. At present, the HEMT device has made great progress in the material growth and process preparation. However, the trap effect caused by the defect has been limited. The important reasons for the development of HEMT are discussed. First, the surface state, the interface defect and the location of the body defect and the cause are discussed. Then, the phenomenon of the current collapse, gate delay, leakage delay and Kink effect caused by the trap effect is described. From the point of view of the structure design and process design of the device, a summary is made to improve the deficiency. The main measures to solve the related problems, including the latest research progress in 4 aspects: cover cap layer, surface treatment, passivation layer and field plate structure. Finally, the future optimization direction of GaN based HEMT devices on defect related problems is explored.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863)(2015AA033305)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1922165