本文選題：大容量IGBT模塊 + 熱敏感電參數(shù)法��； 參考：《中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)》2017年09期

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在風(fēng)力發(fā)電等大功率系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其可靠性越來(lái)越受到學(xué)術(shù)界和工業(yè)界重視,鑒于結(jié)溫是影響IGBT模塊可靠性的重要因素,國(guó)內(nèi)外學(xué)者提出了諸多基于熱敏感電參數(shù)的結(jié)溫提取方法,然而較少涉及大容量IGBT模塊動(dòng)態(tài)結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)和測(cè)試的研究。設(shè)計(jì)和搭建了基于H橋拓?fù)涞恼淄呒?jí)應(yīng)用工況復(fù)現(xiàn)平臺(tái),可開(kāi)展大功率變流系統(tǒng)的運(yùn)行工況型式測(cè)試。以關(guān)斷延遲時(shí)間為熱敏感電參數(shù),簡(jiǎn)要論述了其與器件結(jié)溫和負(fù)載電流等運(yùn)行工況的相關(guān)性,并通過(guò)實(shí)測(cè)構(gòu)建了三維數(shù)據(jù)庫(kù)�；谶\(yùn)行工況復(fù)現(xiàn)平臺(tái),研究了大容量IGBT模塊在不同基波頻率下的結(jié)溫波動(dòng)特征,并通過(guò)模塊內(nèi)置的負(fù)溫度系數(shù)(negative temperature coefficient,NTC)熱敏電阻進(jìn)行結(jié)溫波動(dòng)對(duì)比,驗(yàn)證了以關(guān)斷延遲時(shí)間進(jìn)行IGBT模塊結(jié)溫在線提取和檢測(cè)具有靈敏度高、響應(yīng)速度快和易于集成的優(yōu)點(diǎn)。
[Abstract]:Insulated gate bipolar transistors (IGBT) are widely used in high-power systems such as wind power generation. The reliability of IGBT has been paid more and more attention by academia and industry. In view of the fact that junction temperature is an important factor affecting the reliability of IGBT modules, the insulation gate bipolar transistors (IGBT) are widely used in high power systems such as wind power generation. Scholars at home and abroad have proposed a number of thermo-sensitive electrical parameters based junction temperature extraction methods, but less involved in large capacity IGBT module dynamic junction temperature on-line monitoring and testing research. Based on H-bridge topology, a megawatt application mode reappearance platform is designed and built, which can be used to test the operation mode of high-power converter system. The correlation between turn-off delay time and device junction and load current is briefly discussed, and a three-dimensional database is constructed by measuring. Based on the operating condition reappearance platform, the characteristics of junction temperature fluctuation of large capacity IGBT modules at different fundamental frequencies are studied, and the junction temperature fluctuations are compared by the negative temperature coefficient NT resistor built in the module. It is verified that on-line detection and detection of junction temperature of IGBT module with turn-off delay time has the advantages of high sensitivity, fast response speed and easy integration.
【作者單位】： 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973項(xiàng)目)(2014CB247400) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51490682,51677166)~~
【分類號(hào)】：TM46;TN322.8

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本文編號(hào)：1917875