諧振腔諧振參數(shù)的優(yōu)化與設(shè)計(jì)
本文選題:諧振腔 + 品質(zhì)因數(shù); 參考:《天津工業(yè)大學(xué)》2016年碩士論文
【摘要】:在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是在金剛石膜的沉積過程中,諧振腔的品質(zhì)參數(shù)一直是制約金剛石膜的質(zhì)量以及沉積速度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的提高M(jìn)PCVD皆振腔品質(zhì)參數(shù)的方法是通過調(diào)節(jié)諧振腔的外觀尺寸或控制輸入功率,但由于傳統(tǒng)方法的局限性,致使MPCV D皆振腔的諧振頻率、品質(zhì)因數(shù)、電磁場(chǎng)的分布以及輸出功率無法得到大幅度的提高。為了進(jìn)一步改進(jìn)MPCVD的品質(zhì)參數(shù),本文引入性質(zhì)與傳統(tǒng)材料具有一定差別的“左手材料”。根據(jù)“左手材料”有別于傳統(tǒng)介質(zhì)的特殊性質(zhì),通過FDTD理論計(jì)算與HFSS模擬仿真相結(jié)合的方法,對(duì)影響MPCVD皆振腔品質(zhì)參數(shù)的因素進(jìn)行分析整理,研究填充介質(zhì)的材料屬性與諧振腔的電磁場(chǎng)分布、品質(zhì)因數(shù)、諧振頻率的關(guān)系,總結(jié)各個(gè)因素的作用效果以及作用機(jī)理。重點(diǎn)探究填充介質(zhì)的材料屬性與諧振腔品質(zhì)因數(shù)、諧振頻率、輸出功率以及等離子體分布的關(guān)系。數(shù)據(jù)分析結(jié)果與仿真結(jié)果顯示:左手材料的填充可以改善諧振腔內(nèi)部電磁場(chǎng)的分布情況,提高諧振腔的諧振頻率以及品質(zhì)因數(shù)。相較于傳統(tǒng)材料而言,左手材料可以使諧振腔內(nèi)部中心部位的電磁場(chǎng)強(qiáng)度增加、固有品質(zhì)因數(shù)提高。左手材料可以在不改變諧振腔尺寸的基礎(chǔ)上提高諧振頻率。在理論在傳統(tǒng)理論的基礎(chǔ)上有了進(jìn)一步的進(jìn)展,為探索和設(shè)計(jì)新穎的諧振腔提供了一定的理論依據(jù)。
[Abstract]:In order to improve the quality parameters of MPC VD , the influence of the resonant frequency , quality factor , electromagnetic field distribution and output power of the resonant cavity can be improved by adjusting the external dimension of the resonant cavity or controlling the input power .
【學(xué)位授予單位】:天津工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN629.1
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本文編號(hào):1894088
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