本文選題：熱載流子 + 不同柵壓應(yīng)力��； 參考：《電子學(xué)報》2016年02期

【摘要】：本文詳細(xì)研究了不同柵壓應(yīng)力下1.8V p MOS器件的熱載流子退化機理.研究結(jié)果表明,隨著柵壓應(yīng)力增加,電子注入機制逐漸轉(zhuǎn)化為空穴注入機制,使得p MOS漏極飽和電流(Idsat)、漏極線性電流(Idlin)及閾值電壓(Vth)等性能參數(shù)退化量逐漸增加,但在Vgs=90%*Vds時,因為沒有載流子注入柵氧層,使得退化趨勢出現(xiàn)轉(zhuǎn)折.此外,研究還發(fā)現(xiàn),界面態(tài)位于耗盡區(qū)時對空穴遷移率的影響小于其位于非耗盡區(qū)時的影響,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化卻相同,這是因為Idlin狀態(tài)下器件整個溝道區(qū)均處于非耗盡狀態(tài).
[Abstract]:The hot carrier degradation mechanism of 1.8V p MOS devices under different gate voltages is studied in detail in this paper. The results show that with the increase of gate voltage stress, the electron injection mechanism is gradually transformed into a hole injection mechanism, which makes the degradation of the p MOS drain saturation current, the drain linear current Idlinand the threshold voltage increase gradually, but at Vgs=90%*Vds, the electron injection mechanism gradually transforms into the hole injection mechanism, which leads to the degradation of the p MOS drain saturation current, the drain linear current Idlinand the threshold voltage. Because no carriers are injected into the gate oxygen layer, the degradation trend turns. In addition, it is found that the effect of interface states in depletion region on hole mobility is less than that on hole mobility in non-depleted region, so that the forward Idsat degradation is less than the reverse Idsat degradation, however, the forward and backward Idlin degradation is the same. This is due to the fact that the entire channel region of the device is in a non-depleted state in the Idlin state.
【作者單位】： 東南大學(xué)國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心;華潤上華半導(dǎo)體有限公司;
【基金】：航空科學(xué)基金(No.20122469) 東南大學(xué)無錫分�？蒲幸龑�(dǎo)資金
【分類號】：TN386

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本文編號：1892977