半導體器件生產(chǎn)中的靜電保護工作分析
本文選題:半導體器件 + 靜電保護。 參考:《科技風》2016年24期
【摘要】:現(xiàn)階段,半導體在器件生產(chǎn)中,其技術水平在我國社會發(fā)展水平不斷進步的影響下顯著提高,器件在生產(chǎn)中產(chǎn)生靜電現(xiàn)象是在所難免的,針對所產(chǎn)生的靜電實施有效的保護措施具有重要的現(xiàn)實意義。本文在對靜電產(chǎn)生原因及其危害進行分析的基礎上,探究了半導體器件生產(chǎn)中靜電保護的基本措施。
[Abstract]:At present, the technology level of semiconductor in the production of devices has been greatly improved under the influence of the continuous progress of the social development level in our country. It is inevitable that electrostatic phenomena will occur in the production of semiconductor devices. It is of great practical significance to implement effective protection measures against the static electricity. Based on the analysis of the cause and harm of static electricity, this paper probes into the basic measures of electrostatic protection in the production of semiconductor devices.
【作者單位】: 四川省綿陽市綿陽中學實驗學校;
【分類號】:TN305
【相似文獻】
相關期刊論文 前10條
1 ;計算機及外設[J];今日電子;2000年02期
2 王展;;元器件開短路測試應用[J];電子質(zhì)量;2014年07期
3 黃勇;陳正清;朱興華;蘇新虹;姚峰;鄺國峰;;嵌入靜電保護電路板制造技術[J];印制電路信息;2012年04期
4 ;手機防靜電保護——Littelfuse公司的解決方案[J];世界電子元器件;2001年05期
5 ;飛利浦推出高性能靜電保護二極管[J];電源技術應用;2004年12期
6 Patrick Hibbs;;USB3.0端口靜電保護的設計考慮[J];今日電子;2012年09期
7 曾瑩,李瑞偉;低壓觸發(fā)可控硅結(jié)構在靜電保護電路中的應用[J];微電子學;2002年06期
8 姜一波;曾傳濱;羅家俊;韓鄭生;;H型柵SOIMOS作為靜電保護器件的維持電壓的研究(英文)[J];固體電子學研究與進展;2013年02期
9 何婉芬;帶靜電保護、限速率、低功耗的RS-485收發(fā)器[J];高等函授學報(自然科學版);1999年04期
10 王東平,邢海平;帶靜電保護的RS-485/RS-422接口芯片[J];電子技術;1996年05期
相關重要報紙文章 前1條
1 余涉;主板靜電保護的方法及功效[N];廠長經(jīng)理日報;2000年
相關碩士學位論文 前3條
1 謝姝;高壓功率器件結(jié)構設計及其靜電保護[D];復旦大學;2008年
2 徐代果;數(shù)模混合集成電路的防靜電保護[D];電子科技大學;2009年
3 肖艷;TFT-LCD柵極驅(qū)動電源電路設計研究[D];電子科技大學;2007年
,本文編號:1882286
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1882286.html