本文選題：InAlSb + InSb��； 參考：《紅外與激光工程》2017年07期

【摘要】：在InSb襯底上利用分子束外延生長(zhǎng)了p-i-n結(jié)構(gòu)的InAlSb/InSb材料,通過在吸收層和接觸層之間生長(zhǎng)寬禁帶的InAlSb勢(shì)壘層,驗(yàn)證了勢(shì)壘層對(duì)耗盡層中暗電流的抑制作用。分別基于外延生長(zhǎng)的InAlSb材料和InSb體材料,借助標(biāo)準(zhǔn)工藝制備出二極管,并對(duì)其電性能進(jìn)行測(cè)量分析,研究發(fā)現(xiàn):77K溫度時(shí),在-0.1V的外偏電壓下,p+-p+-n--n+結(jié)構(gòu)和p+-n--n+結(jié)構(gòu)InAlSb器件的反偏電流分別為3.4×10~(-6)A·cm~(-2)和7.8×10~(-6)A·cm~(-2)。基于p+-p+-n--n+結(jié)構(gòu)研制的InAlSb二極管的暗電流保持在一個(gè)很低的水平,這為提高紅外探測(cè)器的工作溫度提供了重要基礎(chǔ)。
[Abstract]:InAlSb/InSb materials with p-i-n structure were grown on InSb substrate by molecular beam epitaxy. The inhibition of dark current in depletion layer was verified by the growth of wide band gap InAlSb barrier layer between absorption layer and contact layer. Based on the epitaxial growth of InAlSb material and InSb bulk material, the diodes were fabricated by the standard process, and their electrical properties were measured and analyzed. The reverse bias currents of p-n n and p-n n InAlSb devices are 3.4 脳 10 ~ (-6) A / cm ~ (-2) and 7.8 脳 10 ~ (-10) ~ (6) A / cm ~ (2) respectively at -0.1V external bias voltage. The dark current of the InAlSb diode based on p-n-n structure is kept at a very low level, which provides an important basis for increasing the working temperature of the infrared detector.
【作者單位】： 中國(guó)空空導(dǎo)彈研究院;紅外探測(cè)器技術(shù)航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家國(guó)際科技合作專項(xiàng)(2014DFR50790)
【分類號(hào)】：TN21

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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