本文選題：感應(yīng)耦合等離子刻蝕 + Pyrex玻璃�。� 參考：《傳感技術(shù)學報》2016年08期

【摘要】：影響ICP刻蝕的工藝參數(shù)包括反應(yīng)室壓力,偏置射頻功率,氬氣流量比率。通過正交試驗的方法,以CHF3和Ar的混合物作為反應(yīng)氣體,利用電感耦合等離子體技術(shù)刻蝕Pyrex玻璃。并采用回歸分析方法建立了二次回歸方程模型描述腐蝕速率和三個因素之間的關(guān)系。實驗結(jié)果表明,氬氣的流量比率(總氣體流量(CHF3+Ar)是恒定的)對刻蝕速率的影響最大,影響程度的主次順序為氬氣的流量比率,反應(yīng)室壓力,偏置射頻功率。腐蝕速率和三個因素之間的數(shù)學表達式為:腐蝕速率=532.680 0+2.055 6×Ar+0.012 7×(偏置射頻功率)-0.964 1×壓力-0.065 5×Ar2-0.006 7×Ar×(偏置射頻功率)+0.021 7×(偏置射頻功率)×壓力-0.050 4×(壓力)2,實驗結(jié)果證明數(shù)學擬合結(jié)果良好。
[Abstract]:The process parameters affecting ICP etching include reaction chamber pressure, bias RF power and argon flow ratio. The Pyrex glass was etched by inductively coupled plasma with the mixture of CHF3 and ar as reaction gas by orthogonal test. A quadratic regression equation model was established to describe the relationship between corrosion rate and three factors. The experimental results show that the influence of argon flow ratio (CHF _ 3 Ars) on etching rate is the greatest, and the order of influence is ar flow ratio, reaction chamber pressure and bias RF power. The mathematical expression between the corrosion rate and the three factors is as follows: corrosion rate 532.680 2.055 6 脳 ar 0.012 7 脳 (bias radio frequency power n -0.964 1 脳 pressure -0.065 5 脳 Ar2-0.006 7 脳 ar 脳 (bias RF power) 0.021 7 脳 (bias RF power) 脳 pressure -0.0504 脳 (pressure 2.02). The result of Ming mathematics fitting is good.
【作者單位】： 中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室;中北大學電子測試技術(shù)國防科技重點實驗室;
【基金】：National Science Foundation for Distinguished Young Scholars of China(51425505)
【分類號】：TN305.7

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本文編號：1877979