本文選題：可測試性設計 + 內(nèi)建自測試��； 參考：《中國科學:信息科學》2017年02期

【摘要】：硅通孔中的缺陷不僅會導致硅通孔網(wǎng)絡中傳輸延遲變化,也會引起對故障更為敏感的跳變延遲波動.本文基于時間數(shù)字轉(zhuǎn)換原理提出一種非侵入式、皮秒級精度的綁定前硅通孔測試方法來檢測電阻開路故障和泄漏故障.把硅通孔看作是驅(qū)動門的容性負載,遍歷環(huán)狀縮減單元的脈沖將會一直被縮減,直到該脈沖消失.將脈沖的縮減量數(shù)字化成一個數(shù)字碼并與預期無故障信號的數(shù)字碼進行比較.使用HSPICE在45 nm CMOS集成電路工藝庫下模擬故障檢測實驗.實驗結(jié)果表明本文方案能夠檢測到0.2 k?以上的電阻開路故障和等效泄漏電阻40 M?以下的泄漏故障.與現(xiàn)有方案相比,本文方案測試精度可以達到皮秒級,具有更大的故障檢測范圍以及質(zhì)量分級能力,對初始輸入信號頻率或測試時鐘信號頻率無嚴格限制,可測試性設計面積開銷相比于晶片面積可以忽略不計.
[Abstract]:The defects in the through hole not only lead to the change of the transmission delay in the through hole network, but also cause the fluctuation of the jump delay which is more sensitive to the fault. Based on the principle of time-digital conversion, a non-invasive, picosecond precision pre-binding silicon through hole testing method is proposed to detect open circuit and leakage faults of resistance. The silicon through hole is regarded as the capacitive load of the drive gate, and the pulse of the traversing ring reduction unit will be reduced until the pulse disappears. The reduced pulse is digitized into a digital code and compared with the expected fault-free digital code. HSPICE is used to simulate the fault detection experiment in 45 nm CMOS integrated circuit process library. The experimental results show that the proposed scheme can detect 0.2 k? Above resistance open circuit fault and equivalent leakage resistance 40m? The following leak failure. Compared with the existing scheme, the test precision of this scheme can reach picosecond level, it has larger fault detection range and quality classification ability, and there is no strict limitation on the initial input signal frequency or test clock signal frequency. The testability design area overhead is negligible compared to the wafer area.
【作者單位】： 安徽財經(jīng)大學計算機科學與技術系;安徽財經(jīng)大學電子信息工程系;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61274036,61371025,61474036,61540011,31601224) 安徽省高校省級自然科學研究重點項目(批準號:KJ2016A001,KJ2016A006,KJ2014A005) 安徽省自然科學基金青年項目(批準號:1608085QF145)資助
【分類號】：TN406

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本文編號：1866681