本文選題：CMOS圖像傳感器 + 總劑量效應(yīng)��； 參考：《半導體光電》2017年01期

【摘要】：CMOS圖像傳感器(CIS)在空間輻射或核輻射環(huán)境中應(yīng)用時,均會受到總劑量輻照損傷的影響,嚴重時甚至導致器件功能失效。文章從微米、超深亞微米到納米尺度的不同CIS生產(chǎn)工藝、從3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元結(jié)構(gòu)、從局部氧化物隔離技術(shù)(LOCOS)到淺槽隔離(STI)的不同CIS隔離氧化層等方面,綜述了CIS總劑量輻照效應(yīng)研究進展。從CIS器件工藝結(jié)構(gòu)、工作模式和讀出電路加固設(shè)計等方面簡要介紹了CIS抗輻射加固技術(shù)研究進展。分析總結(jié)了目前CIS總劑量輻照效應(yīng)及加固技術(shù)研究中亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題,為今后深入開展相關(guān)研究提供理論指導。
[Abstract]:When the CMOS image sensor is used in space radiation or nuclear radiation environment, it will be affected by the total dose radiation damage, and even lead to the failure of the device function. In this paper, different CIS production processes from micron, ultra-deep submicron to nanometer scale, different CIS pixel structures from 3TPD photodiodes to 4TPPD(Pinned Photodiodes, and different CIS isolated oxidation layers from local oxide isolation technology to shallow trough isolation have been discussed. The research progress of total dose radiation effect of CIS is reviewed. In this paper, the research progress of CIS anti-radiation reinforcement technology is briefly introduced from the aspects of process structure, working mode and readout circuit reinforcement design of CIS devices. This paper analyzes and summarizes the key technical problems to be solved in the research of total dose radiation effect and reinforcement technology of CIS, and provides theoretical guidance for further research.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室;湘潭大學材料科學與工程學院;
【基金】：國家自然科學基金項目(11305126,11235008) 國家重點實驗室基金項目(SKLIPR1211)
【分類號】：TN386

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