本文選題：三維集成電路 + 硅通孔��； 參考：《北京理工大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年02期

【摘要】：針對(duì)低阻硅TSV熱力學(xué)研究的空白做出了相應(yīng)的仿真分析.首先介紹了低阻硅TSV轉(zhuǎn)接層的加工工藝,接著基于實(shí)驗(yàn)尺寸,在350℃工藝溫度下,模擬了低阻硅TSV的漲出高度及應(yīng)力分布.不同于銅基TSV,低阻硅TSV的漲出區(qū)域主要集中在聚合物絕緣層的上方.為了減小低阻硅TSV的漲出高度及熱應(yīng)力,分別對(duì)工藝溫度、表面SiO_2厚度、低阻硅TSV的直徑、高度、間距和BCB絕緣層厚度進(jìn)行了變參分析.結(jié)果表明,減小BCB絕緣層的厚度及高度以及增加表面SiO_2厚度是抑制低阻硅TSV膨脹高度及減小熱應(yīng)力的有效方法.
[Abstract]:The corresponding simulation analysis is made for the blank of thermodynamics of low resistance silicon TSV. The processing technology of low resistivity silicon TSV transfer layer is introduced firstly. Then, based on the experimental size, the rising height and stress distribution of low resistivity silicon TSV are simulated at 350 鈩，

本文編號(hào)：1856338