本文選題：TSV封裝 + 差分串擾　； 參考：《微電子學與計算機》2017年09期

【摘要】：為了研究TSV封裝中互連結構之間的串擾對差分信號傳輸特性的影響;針對硅通孔結構提出了一種改進型的"近鄰硅通孔差分串擾"RLCG寄生參數(shù)模型,進而提出了一種適用于描述接地硅通孔對近鄰硅通孔串擾影響的"接地硅通孔"RLCG寄生參數(shù)模型;針對層間互連線結構提出了一種改進型的"近鄰平行互連線差分串擾"RLCG寄生參數(shù)模型,進而提出了一種"近鄰垂直互連線差分串擾"RLCG寄生參數(shù)模型.在此基礎之上,采用HFSS三維全波仿真方法對硅通孔和層間互連線的各種實際串擾狀態(tài)進行了三維電磁場建模和分析.將RLCG模型的單端-單端串擾以及單端-差分串擾與HFSS模型的分析結果進行了對比,對比結果證明在0.1~30GHz寬頻段內(nèi)本文提出的上述4種RLCG電路模型能夠較為準確的描述TSV封裝內(nèi)互連結構之間的串擾特性.
[Abstract]:In order to study the influence of crosstalk between interconnects on the transmission characteristics of differential signals in TSV packaging, an improved RLCG parasitic parameter model of "differential crosstalk in close neighbor silicon through hole" is proposed for silicon through hole structure. Furthermore, a parasitic parameter model of "grounded silicon through hole" RLCG is proposed, which is suitable for describing the influence of grounded silicon through hole on adjacent silicon through hole crosstalk. In this paper, an improved RLCG parasitic parameter model of "differential crosstalk of adjacent parallel interconnects" and a parasitic parameter model of "differential crosstalk of adjacent vertical interconnection lines" for interlayer interconnection are presented. On the basis of this, the 3D electromagnetic field modeling and analysis of the real crosstalk states of the silicon through hole and interlayer interconnect are carried out by using the HFSS full-wave simulation method. In this paper, the analysis results of RLCG model and HFSS model are compared with those of HFSS model, and the results of single end to single end crosstalk and single end differential crosstalk are compared with those of HFSS model. The comparison results show that the above four RLCG circuit models in the 0.1~30GHz broadband band can accurately describe the crosstalk characteristics between the interconnect structures in the TSV package.
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所;
【基金】：國家自然科學基金項目(61306135)
【分類號】：TN405.97

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本文編號：1855721