本文選題：正電子湮沒譜學(xué) + 半導(dǎo)體材料�。� 參考：《物理學(xué)報》2017年02期

【摘要】：正電子湮沒譜學(xué)技術(shù)在研究材料微觀缺陷、微觀結(jié)構(gòu)方面有著獨特的優(yōu)勢,尤其是在針對陽離子空位等負電性空位型缺陷的研究中,可以獲取材料內(nèi)部微觀缺陷的種類與分布的關(guān)鍵信息.正電子湮沒壽命和多普勒展寬能譜是正電子湮沒譜學(xué)的最基本的分析方法,在半導(dǎo)體材料的空位形成、演化機理以及分布等研究方面能夠發(fā)揮獨特的作用;此外,慢正電子束流技術(shù)在半導(dǎo)體薄膜材料的表面和多層膜材料的界面的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷的深度分布的研究中有廣泛的應(yīng)用.通過正電子技術(shù)所得到的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷、電子密度和動量分布等信息對研究半導(dǎo)體微觀結(jié)構(gòu)、優(yōu)化半導(dǎo)體材料的工藝和性能等方面有著指導(dǎo)作用.本文綜述了正電子湮沒譜學(xué)技術(shù)在半導(dǎo)體材料方面的應(yīng)用研究進展,主要圍繞正電子研究平臺在半導(dǎo)體材料微觀缺陷研究中對材料的制備工藝、熱處理、離子注入和輻照情況下,各種缺陷的微觀結(jié)構(gòu)的表征及其演化行為的研究成果展開論述.
[Abstract]:Positron annihilation spectroscopy (positron annihilation spectroscopy) has unique advantages in studying the microstructure and microstructure of materials, especially in the study of negative vacancy defects such as cationic vacancies. Key information on the types and distribution of microscopic defects in materials can be obtained. Positron annihilation lifetime and Doppler broadening spectroscopy are the most basic methods for the analysis of positron annihilation spectroscopy, which can play a unique role in the study of vacancy formation, evolution mechanism and distribution of semiconductor materials. Slow positron beam technique has been widely used in the study of microstructure and depth distribution of defects on the surface of semiconductor thin films and the interface of multilayer materials. The information of microstructure and defects, electron density and momentum distribution obtained by positron technology can be used to study the microstructure of semiconductors and optimize the process and properties of semiconductor materials. In this paper, the progress in the application of positron annihilation spectroscopy in semiconductor materials is reviewed. The preparation and heat treatment of the materials are mainly focused on the research platform of positron in the study of microdefects of semiconductor materials. In the case of ion implantation and irradiation, the characterization of microstructure and evolution behavior of various defects are discussed.
【作者單位】： 中國科學(xué)院高能物理研究所;武漢科技大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準號:0275076,10575112,60606011,10835006,11175191,11475193,11475197,11575205,11505192)資助的課題~~
【分類號】：TN304

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5 ;前言[A];第十屆全國正電子湮沒譜學(xué)會議論文集[C];2009年

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7 曹興忠;伍海彪;成國棟;姜小盼;張鵬;李卓昕;于潤升;王寶義;;FeCu合金微觀缺陷結(jié)構(gòu)的正電子湮沒譜學(xué)研究[A];第五屆反應(yīng)堆物理與核材料學(xué)術(shù)研討會、第二屆核能軟件自主化研討會會議摘要集[C];2011年

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2 成國棟;正電子湮沒譜學(xué)研究Fe-Cu合金微觀缺陷[D];成都理工大學(xué);2013年

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本文編號：1850964