本文選題：碳化硅 + 化學(xué)機(jī)械拋光　； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年05期

【摘要】：選用二氧化硅拋光液拋光4H導(dǎo)電SiC晶片表面,探究影響SiC晶片表面質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù),獲得更高的去除效率和表面質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SiC表面的氧化是氫氧根離子和雙氧水共同作用的結(jié)果。保持壓力不變并增加氫氧根離子或雙氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不變。在更大的壓力下增加氫氧根離子的含量,SiC表面的拋光去除速率進(jìn)一步增加。通過優(yōu)化的拋光參數(shù),SiC表面的拋光去除速率達(dá)到142 nm/h。進(jìn)一步研究結(jié)果表明,保持化學(xué)機(jī)械拋光過程中氧化作用與機(jī)械作用相匹配,是獲得高拋光效率和良好的表面質(zhì)量的關(guān)鍵。表面缺陷檢測(cè)儀(Candela)和原子力顯微鏡(AFM)的測(cè)試結(jié)果表明,SiC拋光片表面無劃痕,粗糙度達(dá)到0.06 nm。外延后總?cè)毕菝芏刃∮?個(gè)/cm2,粗糙度達(dá)到0.16 nm。
[Abstract]:The surface of 4H conductive SiC wafer was polished by using silicon dioxide polishing liquid, and the key parameters affecting the surface quality of SiC wafer were investigated to obtain higher removal efficiency and surface quality. The results show that the oxidation of sic surface is the result of the interaction of hydrogen hydroxide ion and hydrogen peroxide. Keeping the pressure constant and increasing the content of hydroxide ion or hydrogen peroxide the removal rate of sic surface firstly increases and then remains unchanged. The removal rate of sic surface was further increased by increasing the content of hydroxide ions under higher pressure. The removal rate of sic surface is up to 142 nm / h by optimizing polishing parameters. The further research results show that keeping the oxidation and mechanical action matching in the process of chemical-mechanical polishing is the key to obtain high polishing efficiency and good surface quality. The results of surface defect detector Candela and AFM) show that there is no scratch on the surface of sic polishing wafer and the roughness is 0.06 nm. The total defect density is less than 1 / cm ~ 2 and the roughness is 0.16 nm.
【作者單位】： 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司;新疆天富能源股份有限公司;新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司;北京科技大學(xué);
【基金】：國家科技部高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃“863計(jì)劃”(2014AA041402) 北京市科技新星計(jì)劃項(xiàng)目(Z141103001814088) 新疆兵團(tuán)重點(diǎn)領(lǐng)域創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)計(jì)劃
【分類號(hào)】：TN305.2

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