本文選題：發(fā)光二極管 + 氮化鎵��； 參考：《中南民族大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年01期

【摘要】：針對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)中普遍存在的效率衰減效應(yīng)嚴(yán)重影響大注入電流條件下LED發(fā)光性能的問題,在傳統(tǒng)InGaN/GaN多量子阱LED基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了組分漸變過渡層結(jié)構(gòu),引入到量子壘和電子阻擋層界面。模擬計(jì)算結(jié)果表明:當(dāng)引入過渡層后,量子壘和電子阻擋層界面處的電子勢(shì)阱深度和空穴勢(shì)壘高度減小,有益于有源區(qū)載流子濃度的提高,有效提升了量子阱內(nèi)輻射復(fù)合速率,使發(fā)光效率衰減現(xiàn)象得到顯著改善.研究結(jié)果對(duì)大功率發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和器件研發(fā)具有啟發(fā)作用.
[Abstract]:In order to solve the problem that the efficiency attenuation effect in semiconductor light-emitting diodes (LEDs) seriously affects the luminescence performance of LED under high injection current, a transition layer structure is designed based on the traditional InGaN/GaN multi-quantum well LED. It is introduced to the interface of quantum barrier and electron barrier layer. The simulation results show that when the transition layer is introduced, the depth of the electron potential well and the height of the hole barrier at the interface between the quantum barrier and the electron barrier layer decrease, which is beneficial to the increase of carrier concentration in the active region and to the enhancement of the radiation recombination rate in the quantum well. The decay of luminous efficiency is improved significantly. The results are helpful to the structure design and device development of high power LED.
【作者單位】： 中南民族大學(xué)電子信息工程學(xué)院;中南民族大學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)與實(shí)驗(yàn)室管理中心;武漢光馳教育科技股份有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11504436) 湖北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015CFB364) 中南民族大學(xué)中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(CZW15045,CZQ16003)
【分類號(hào)】：TN312.8

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1822136