金剛石錐陣列的無掩膜刻蝕制備及其形貌演變機制
發(fā)布時間:2018-04-28 01:05
本文選題:金剛石錐 + 偏壓熱燈絲化學(xué)氣相沉積; 參考:《發(fā)光學(xué)報》2016年07期
【摘要】:為獲得具有優(yōu)良場發(fā)射性能的金剛石錐陣列,利用偏壓熱燈絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)分別在高質(zhì)量大顆粒金剛石厚膜與納米金剛石薄膜上進(jìn)行了無掩膜刻蝕研究,系統(tǒng)比較了高質(zhì)量大顆粒金剛石厚膜與納米金剛石薄膜的刻蝕特性,制備了大面積均勻金剛石錐陣列和高長徑比(20∶1)金剛石納米線陣列,探討了金剛石錐的刻蝕形成機理。
[Abstract]:In order to obtain diamond cone arrays with excellent field emission performance, the masked etching of thick diamond films and nanocrystalline diamond films with high quality and large particles were studied by bias pressure hot filament chemical vapor deposition system. The etching characteristics of high quality, large grain diamond thick films and nanocrystalline diamond films were systematically compared. A large area uniform diamond cone array and a diamond nanowire array with a high aspect ratio of 20: 1 were prepared. The etching mechanism of diamond cones was discussed.
【作者單位】: 中國海洋大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院物理系;中國科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)國家實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(11274082)資助項目
【分類號】:TN305.7
【相似文獻(xiàn)】
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1 呂繼磊;MPCVD制備大顆粒金剛石晶粒的研究[D];武漢工程大學(xué);2013年
,本文編號:1813115
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