本文選題：雙模式控制 + 電荷泵��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年01期

【摘要】：提出了一種高性能電荷泵的建模和設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方法。為了實(shí)現(xiàn)在大的負(fù)載電流變化范圍內(nèi)具有高轉(zhuǎn)換效率和低輸出電壓紋波,提出了變頻模式(VFM)和脈沖跳變模式(PSM)雙模式控制的電荷泵,并建立了相應(yīng)的數(shù)學(xué)模型以方便設(shè)計(jì)參數(shù)的分析和選取。芯片采用TSMC0.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS數(shù)�；旌瞎に囘M(jìn)行設(shè)計(jì)制造,總面積約為1.4 mm×1.5 mm。測試結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)的電荷泵在全負(fù)載電流范圍內(nèi)(5~100 m A)能夠?qū)崿F(xiàn)雙模式的自動(dòng)切換,取得較低電壓紋波和較高效率,達(dá)到了設(shè)計(jì)預(yù)期,從而驗(yàn)證了變頻和脈沖跳變雙模式控制電荷泵的可行性。
[Abstract]:A method of modeling and design of high performance charge pump is presented. In order to achieve high conversion efficiency and low output voltage ripple in large load current range, a charge pump controlled by frequency conversion mode (VFM) and pulse hopping mode (PSM) is proposed. The corresponding mathematical model is established to facilitate the analysis and selection of design parameters. The chip is designed and manufactured by TSMC0.35 渭 m standard CMOS digital-analog mixing process with a total area of about 1.4 mm 脳 1.5 mm. The test results show that the designed charge pump can automatically switch between two modes in the full load current range, and achieve lower voltage ripple and higher efficiency. The feasibility of charge pump controlled by frequency conversion and pulse jump is verified.
【作者單位】： 浙江大學(xué)超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(LY13F040001)
【分類號(hào)】：TN432

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本文編號(hào)：1803292