本文選題：長效可靠性 + 熱載流子退化�。� 參考：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年05期

【摘要】：以中國科學(xué)院微電子研究所開發(fā)的雙層場板長漂移區(qū)LDMOS為研究對象,通過長效(Long-term)可靠性實(shí)驗(yàn)展示了其特殊性退化過程,即I_(dss)快速下降—略微增長—再緩慢下降。通過TCAD仿真對雙層場板長漂移區(qū)LDMOS的特殊退化現(xiàn)象進(jìn)行仿真與分析,展示了器件內(nèi)部物理量的變化。從理論上闡明了雙層場板長漂移區(qū)LDMOS熱載流子退化機(jī)理并對其特殊退化過程進(jìn)行了解釋說明。
[Abstract]:Taking the long drift region LDMOS of double-layer field plate developed by Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences as the research object, the special degradation process of LDMOS is demonstrated by long-effect long term reliability experiment, I. e. The special degradation phenomenon of LDMOS in the long drift region of double-layer field plate is simulated and analyzed by TCAD simulation, and the variation of physical quantity inside the device is shown. In this paper, the degradation mechanism of LDMOS hot carriers in the long drift region of double-layer plate is explained theoretically and its special degradation process is explained.
【作者單位】： 常州工學(xué)院;中國科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：江蘇高校品牌專業(yè)建設(shè)工程資助項(xiàng)目(PPZY2015B129) 江蘇省高等學(xué)校自然科學(xué)研究項(xiàng)目(17KJB416001) 《江蘇省電氣工程及其自動化品牌專業(yè)建設(shè)一期工程項(xiàng)目》 《江蘇省“電氣工程”省重點(diǎn)建設(shè)學(xué)科》 《江蘇省高�！疤胤N電機(jī)研究與應(yīng)用”重點(diǎn)建設(shè)實(shí)驗(yàn)室》 《基于22nm制程以下FinFET靜電防護(hù)機(jī)理研究》等項(xiàng)目資助
【分類號】：TN386

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本文編號：1801693