本文選題：正硅酸乙酯(TEOS) + 化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)��； 參考：《微納電子技術(shù)》2017年09期

【摘要】：針對(duì)300 mm正硅酸乙酯(TEOS)鍍膜片在化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)過程中中心去除速率快而邊緣去除速率慢的問題,研究了拋光頭擺動(dòng)位置、拋光頭不同區(qū)域壓力和非離子型表面活性劑對(duì)TEOS去除速率一致性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,拋光頭距拋光盤中心越遠(yuǎn),中心去除速率越慢,去除速率一致性越好;增加拋光頭邊緣壓力,加快了邊緣去除速率,提高了去除速率一致性;增加非離子表面活性劑添加量,提高了溫度分布均勻性,進(jìn)而改善去除速率一致性。與初始工藝對(duì)比,在拋光頭擺動(dòng)位置距拋光盤中心7.2~8.2英寸(1英寸=2.54 cm)、拋光頭邊緣壓力增加20%、添加非離子表面活性劑體積分?jǐn)?shù)1.5%條件下,片內(nèi)非均勻性(WIWNU)降低了60.9%。
[Abstract]:In order to solve the problem that the center removal rate is fast and the edge removal rate is slow in the process of chemical mechanical planarization (CMP), the swinging position of polishing head is studied. Effects of different pressure and Nonionic Surfactant on TEOS removal rate. The experimental results show that the longer the polishing head is from the center of the polishing disc, the slower the center removal rate is and the better the consistency of the removal rate is, and the higher the edge pressure of the polishing head is, the faster the edge removal rate is and the higher the consistency of the removal rate is. Increasing the amount of Nonionic surfactants can improve the uniformity of temperature distribution and improve the consistency of removal rate. Compared with the initial process, the in-chip inhomogeneity was decreased by 60.9% at the swing position of the polishing head from the center of the polishing disc, the edge pressure of the polishing head increased by 20% and the volume fraction of Nonionic surfactant was 1.5%.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 河北省自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(F2015202267) 天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(16JCYBJC16100) 河北工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀青年科技創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(2015007)
【分類號(hào)】：TN305.2

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1791755