本文選題：驅(qū)動(dòng)電路 + 雙脈沖　； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年02期

【摘要】：分析了SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的基本要求,并對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)電壓的選取和可靠性設(shè)計(jì)等進(jìn)行了重點(diǎn)研究,設(shè)計(jì)出一款簡(jiǎn)單實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路,解決了多管并聯(lián)的SiC MOSFET。驅(qū)動(dòng)這一難題。另外,搭建了雙脈沖實(shí)驗(yàn)電路對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試,分析確定了最佳門極電阻的參數(shù)和緩沖吸收電路。最后,將所設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于50 kW/800 kHz的多管并聯(lián)感應(yīng)加熱電源,進(jìn)一步驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路適用于高頻、大功率場(chǎng)合,具備一定的工業(yè)應(yīng)用價(jià)值。
[Abstract]:The basic requirements of SiC MOSFET drive circuit are analyzed, and the structure of the drive circuit, the selection of driving voltage and the reliability design are emphatically studied. A simple and practical driving circuit is designed to solve the problem of multi-transistor parallel SiC MOSFETs. Drive the problem. In addition, a double-pulse experimental circuit is built to test the driving circuit, and the optimum gate resistance parameters and the snubber absorption circuit are analyzed and determined. Finally, the designed drive circuit is applied to 50 kW/800 kHz parallel induction heating power supply, which further verifies that the designed drive circuit is suitable for high-frequency and high-power applications, and has certain industrial application value.
【作者單位】： 華北電力大學(xué);保定四方三伊電氣有限公司;
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1782992