本文選題：SiGe + BiCMOS��； 參考：《東南大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：近幾年來(lái),隨著無(wú)線通信技術(shù)飛速發(fā)展,對(duì)于無(wú)線收發(fā)機(jī)的要求越來(lái)越高。功率放大器作為無(wú)線收發(fā)機(jī)重要的射頻前端電路,是消耗能量最大的模塊電路。射頻功率放大器作為無(wú)線通信系統(tǒng)不可缺少的功能部分,其性能好壞影響到整個(gè)發(fā)射機(jī)的性能。在早期射頻功率放大器設(shè)計(jì)中,以砷化鎵、磷化銦為代表的Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體集成電路工藝處于主流統(tǒng)治地位,但采用這種工藝設(shè)計(jì)的射頻電路難以與基帶等其它電路模塊集成在一起。近年來(lái),隨著SiGe BiCMOS工藝的不斷優(yōu)化改進(jìn),該工藝的截止頻率和功率密度等性能指標(biāo)均得到了顯著改善,因此基于SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)的功放成為研究熱點(diǎn)且得到業(yè)界的廣泛關(guān)注。鑒于上述前提,本文采用IBM 0.13μm SiGe BiCMOS工藝,對(duì)應(yīng)用在相控陣?yán)走_(dá)中的Ku波段線性功率放大器進(jìn)行了調(diào)研和設(shè)計(jì)。該功率放大器采用單端結(jié)構(gòu),工作在AB類,由兩級(jí)Cascode結(jié)構(gòu)級(jí)聯(lián)構(gòu)成。采用基極串聯(lián)電阻來(lái)提高穩(wěn)定性;共基放大結(jié)構(gòu)采用電阻分壓偏置電路,共射放大結(jié)構(gòu)采用線性化偏置網(wǎng)絡(luò)來(lái)提高功放的線性度。。輸入匹配和級(jí)間匹配采用共軛匹配,由無(wú)源T型網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。輸出匹配采用負(fù)載牽引匹配,由無(wú)源L型網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。此外,采用溫度補(bǔ)償電路提高功放的熱穩(wěn)定性。本文給出了工作頻帶為15～17GHz功率放大器的電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、鍵合PCB設(shè)計(jì)以及聯(lián)合仿真結(jié)果。在3.3V電源電壓下,功率放大器的聯(lián)合仿真1dB壓縮點(diǎn)輸出功率為22.45dBm,最大的功率附加效率(PAE)為24%,15～17GHz帶寬內(nèi)的增益平坦度小于±0.3dB,S11、S22均小于-5.6dB,芯片面積為1560μ×970μm。
[Abstract]:In recent years, with the rapid development of wireless communication technology, the requirements for wireless transceivers are becoming higher and higher.As an important RF front-end circuit of wireless transceiver, power amplifier is the most energy-consuming module circuit.As an indispensable function of wireless communication system, RF power amplifier affects the performance of the transmitter.In the early RF power amplifier design, 鈪，

本文編號(hào)：1770504