本文選題：TSV + 電熱耦合　； 參考：《現(xiàn)代電子技術(shù)》2017年08期

【摘要】：根據(jù)電路和熱路的基本原理結(jié)合硅通孔(TSV)的幾何結(jié)構(gòu),建立TSV互連結(jié)構(gòu)等效電路模型,對該模型進(jìn)行電-熱耦合條件下的互連傳輸性能分析,研究TSV的半徑、高度和二氧化硅層厚度對TSV傳輸性能的影響。結(jié)果表明,TSV互連結(jié)構(gòu)的傳輸性能隨著半徑和二氧化硅層厚度的增大而變得越好,隨著其高度增大而變得越差。同時用COMSOL仿真軟件分析出的S參數(shù)與等效電路模型的結(jié)果相對比,所得的結(jié)果幾乎一樣,進(jìn)一步說明等效電路模型的正確性。
[Abstract]:According to the basic principle of circuit and hot circuit, the equivalent circuit model of TSV interconnection structure is established, and the transmission performance of TSV is analyzed under the condition of electric-thermal coupling, and the radius of TSV is studied.The influence of height and thickness of silica layer on the transport performance of TSV.The results show that the transport performance of TSV interconnects becomes better with the increase of radius and thickness of silicon dioxide, and becomes worse with the increase of height.At the same time, compared with the results of the equivalent circuit model, the S parameters analyzed by the COMSOL simulation software are almost the same, which further shows the correctness of the equivalent circuit model.
【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51465013) 桂林電子科技大學(xué)研究生創(chuàng)新項目(GDYCSZ201443;GDYCSZ201480) 廣西自動檢測技術(shù)與儀器重點實驗室主任基金(YQ15109) 廣西研究生教育創(chuàng)新計劃資助項目(YCSZ2014142)
【分類號】：TN405

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1755570