本文選題：熱原子層沉積 + TiAlCN薄膜�。� 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期

【摘要】：在Si和SiO_2基底上,采用熱原子層沉積技術(shù),以四(二甲基氨基)鈦(Ti(N(CH_3)_2)_4)和三甲基鋁(Al(CH_3)_3)為前驅(qū)體,制備TiAlCN薄膜。測試結(jié)果表明,隨著基底溫度的升高,膜層的沉積速率升高,電阻率降低,光學(xué)帶隙由3.45 eV降低到2.00 e V,并在基底溫度為300和350℃時出現(xiàn)了雙吸收邊;基底溫度為350℃時,Al(CH_3)_3分解,使Al進入膜層與TiN和TiC形成TiAl N和TiAlC;膜層中TiN和TiC的形成,可以有效抑制膜層的自然氧化;基底溫度為250和300℃時,薄膜為無定型結(jié)構(gòu),當基底溫度為350℃時,有TiN晶體產(chǎn)生;膜層的表面粗糙度隨著基底溫度的升高先降低后升高,表面粗糙度的升高可能是因為在基底溫度為350℃時前驅(qū)體材料的分解,使C—H鍵進入膜層所導(dǎo)致的。
[Abstract]:TiAlCN thin films were prepared on Si and SiO_2 substrates by thermal atomic layer deposition technique, using tetra- (dimethylamino) Titanium (TiNN) TiN / Ch _ (3) s _ (2) and trimethyl Al ~ (2 +) Alch _ (3) s _ (3) as precursors.The results show that with the increase of substrate temperature, the deposition rate increases, the resistivity decreases, the optical band gap decreases from 3.45 EV to 2.00 EV, and the double absorption edges appear at the substrate temperatures of 300 鈩，

本文編號：1752701