本文選題：微波干燥 + 光刻膠納米線條��； 參考：《微電子學(xué)》2017年05期

【摘要】：針對(duì)半導(dǎo)體工藝中去離子水的表面張力導(dǎo)致顯影干燥過程中光刻膠納米線條容易發(fā)生倒伏的問題,采用了微波干燥方法,以抑制光刻膠納米線條倒伏。利用微波的熱效應(yīng)和非熱效應(yīng),降低去離子水的表面張力,使光刻膠納米線條上的去離子水均勻、快速地蒸發(fā),有效抑制了光刻膠納米線條的倒伏。與氮?dú)飧稍锾幚淼膫鹘y(tǒng)方法相比,該方法能使高130nm、寬15nm的光刻膠納米線條不發(fā)生倒伏,效果明顯。這表明,該方法是可行和有效的。
[Abstract]:Aiming at the problem that the surface tension of deionized water in semiconductor process leads to the easy lodging of photoresist nanocrystals in the process of developing and drying, microwave drying method is adopted to suppress the lodging of photoresist nanoscale lines.The surface tension of deionized water is reduced by using the thermal and non-thermal effects of microwave, and the deionized water on the photoresist nanowires is uniformly and rapidly evaporated, which effectively inhibits the lodging of photoresist nanowires.Compared with the traditional method of nitrogen drying, this method can make the photoresist nanowires with high height of 130 nm and wide 15nm without lodging, and the effect is obvious.This shows that the method is feasible and effective.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;中國科學(xué)院大學(xué);集成電路測試技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61474139,61274059)
【分類號(hào)】：TN305

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本文編號(hào)：1748069