一種低功耗寬帶低噪聲放大器
本文選題:共柵結(jié)構(gòu) + 低噪聲放大器; 參考:《微電子學(xué)》2017年01期
【摘要】:設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于無(wú)線傳感網(wǎng)的低功耗寬帶低噪聲放大器。通過(guò)使用電容交叉耦合的共柵放大器結(jié)構(gòu)來(lái)提高增益,同時(shí)實(shí)現(xiàn)寬帶輸入阻抗匹配。運(yùn)用PMOS和NMOS層疊結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電流復(fù)用,降低了功耗。該低噪聲放大器采用0.18μm SMIC CMOS工藝設(shè)計(jì)。后仿真結(jié)果表明,該放大器在1.8V電源供電下的功耗僅為0.712mW,在3dB帶寬0.043~1.493GHz范圍內(nèi)的峰值增益為20.44dB,最小噪聲系數(shù)為4.024dB,輸入3階交調(diào)點(diǎn)為-3.73dBm。
[Abstract]:A low power broadband low noise amplifier for wireless sensor networks is designed.The gain is improved by using the capacitive cross-coupled cascade amplifier structure, and the wideband input impedance matching is realized at the same time.The current reuse is realized by using PMOS and NMOS stack structure, and the power consumption is reduced.The low noise amplifier is designed by 0.18 渭 m SMIC CMOS process.The simulation results show that the power consumption of the amplifier is only 0.712 MW under 1.8 V power supply, the peak gain is 20.44 dB in the 3dB bandwidth 0.043~1.493GHz range, the minimum noise coefficient is 4.024 dB, and the input third-order intersection point is -3.73 dBm.
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61474135)
【分類號(hào)】:TN722.3
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,本文編號(hào):1733179
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