本文選題：半導(dǎo)體激光器 + 高功率　； 參考：《紅外與激光工程》2017年04期

【摘要】：半導(dǎo)體激光器體積小、效率高,但單元輸出功率低、光束質(zhì)量差限制了其應(yīng)用。介紹了提升半導(dǎo)體激光器功率及光束質(zhì)量的最新進(jìn)展,對(duì)各種技術(shù)途徑和實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了綜述報(bào)道,并具體介紹了中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所近年來在高亮度半導(dǎo)體激光器芯片及合束方面取得的進(jìn)展。
[Abstract]:Semiconductor lasers are small in size and high in efficiency, but their output power is low, and their applications are limited by the difference in beam quality.The latest progress in improving the power and beam quality of semiconductor lasers is introduced. Various technical approaches and experimental results are reviewed.The progress in semiconductor laser chip and beam combination made by Changchun Institute of Optical Precision Mechanics and Physics of Chinese Academy of Sciences in recent years is introduced in detail.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61574141,61404137,61535013,L1524007) 中國(guó)科學(xué)院項(xiàng)目(QYZDY-SSW-JSC006) 吉林省科技廳項(xiàng)目(20160519019JH,20160203017GX)
【分類號(hào)】：TN248.4

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本文編號(hào)：1732278