發(fā)布時間：2018-04-08 19:25

  本文選題：Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體　切入點：原子層沉積　出處：《東南大學》2015年碩士論文

【摘要】：隨著Si基晶體管的發(fā)展越來越接近其物理極限,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料因其相比Si更高的載流子遷移率和注入速度而得到廣泛研究。獲得高質量的柵介質/Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體柵疊層結構、低電阻率的源漏和電學性能佳的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體MOSFET顯得尤為關鍵。本文主要圍繞這些問題對GaSb MOSCAP界面優(yōu)化、GaSb和InGaSb基MOSFET器件制備、GaAs離子注入激活與歐姆接觸和InGaAs溝道MOSFET器件制備進行細致的探討和研究。本文的工作研究內容如下：(1) GaSb基MOSCAP界面優(yōu)化研究。探討了CF4等離子體和N2氛圍下PMA處理Al2O3/n-GaSb結構對器件電學特性的影響,通過引入CF4等離子體和PMA聯(lián)合處理工藝,MOSCAP的邊界陷阱(ΔNbt)和界面態(tài)密度(Dit)分別降低了15.8%和47.5%。XPS的分析結果發(fā)現(xiàn)通過CF4等離子體處理之后形成了Al-F-0和A1-F鍵。以上結果表明,CF4等離子體處理介質和PMA能有效地鈍化界面和介質,最終使得器件電學性能提升。(2)Sb基pMOSFETs器件制備與特性研究。通過Mg離子注入退火激活形成源漏和后柵工藝,成功制備出高性能的GaSb基pMOSFETs,2 um柵長的器件漏極電流達到10.7 mA/mm,開關比超過3000;引入數(shù)字腐蝕的方法,制備出了InGaSb埋溝結構的pMOSFETs。2nm的InAs帽層通過臭氧氧化和稀鹽酸腐蝕方法精確去除,最終制備出的1um柵長器件,漏極電流達到26.1 mA/mm,最大跨導為9.9 mS/mm,開關比約為80,亞閾值擺幅為330 mV/decade。(3)Mg和Zn離子注入半絕緣GaAs襯底形成p型摻雜與歐姆接觸研究。系統(tǒng)研究了不同退火溫度和時間條件下,Mg離子注入激活效果。實驗發(fā)現(xiàn)離子注入激活溫度過低時,激活不充分,此時的方塊電阻(Rsh)很大,不利于器件的電學性能,而溫度過高時又會損壞材料和器件,最終發(fā)現(xiàn)Mg離子注入退火激活的最佳條件為800℃,10秒,而Zn離子注入激活溫度更低,在650℃,10秒條件下,即能達到不錯的激活效果。(4) InGaAs溝道MOSFETs器件制備與特性研究。通過Be離子注入激活形成源漏的方法,制備出了InGaAs溝道的pMOSFETs,但器件的電學性能和制備工藝還有待優(yōu)化。最后,提出了在同一個外延結構上制備nMOSFETs的結構示意圖。
[Abstract]:In this paper , the effects of Al - F - 0 and Al - F bond on the structure of GaAs / n - GaSb semiconductor have been studied . The results show that the optimum conditions for the formation of high - quality gate dielectric / 鈪，

本文編號：1723034