發(fā)布時間：2018-04-05 16:32

  本文選題：全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)　切入點：超薄埋氧層(UTB)　出處：《微納電子技術》2016年09期

【摘要】：全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)器件具有出色的短溝道效應(SCE)控制能力等優(yōu)勢,是22 nm及以下的CMOS技術節(jié)點中的有力競爭者。為了研究減薄埋氧層(BOX)厚度對FDSOI器件性能和短溝道效應的影響,并進一步提高FDSOI器件的短溝道效應控制能力,制備了超薄BOX(UTB)FDSOI器件,并同時制備除BOX厚度外其余條件完全相同的145 nm厚BOX FDSOI對比器件。對制備的器件進行了電學性能測試,展示了兩種器件的傳輸特性和轉(zhuǎn)移特性曲線,并且對器件施加背柵偏壓以研究其對器件性能的調(diào)制作用。測試結果顯示,UTB FDSOI器件的關斷電流I_(off)與145 nm厚BOX FDSOI器件相比降低了近50%,DIBL性能也得到了顯著提升。此外,施加背柵偏壓不僅可以更靈敏地調(diào)制FDSOI器件性能,而且可以有效地優(yōu)化器件的短溝道效應。
[Abstract]:Fully depleted insulator devices with excellent short channel effect (SCE) control capability are powerful competitors in CMOS technology nodes up to 22 nm.In order to study the effect of the thickness of buried oxygen layer (box) on the performance and short channel effect of FDSOI devices, and to improve the control ability of short channel effects of FDSOI devices, ultra-thin BOX(UTB)FDSOI devices were fabricated.At the same time, 145nm thick BOX FDSOI contrast devices with the same conditions except BOX thickness were fabricated.The electrical properties of the fabricated devices are tested, the transmission characteristics and transfer characteristic curves of the two devices are shown, and the back gate bias voltage is applied to the device to study its modulation effect on the device performance.The test results show that the turn-off current of the UTB FDSOI device is much lower than that of the 145nm thick BOX FDSOI device.In addition, the application of backgate bias can not only modulate the performance of FDSOI devices more sensitively, but also optimize the short channel effect of the devices effectively.
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室;
【分類號】：TN386

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本文編號：1715607