本文選題：SiC　切入點(diǎn)：BJT　出處：《中國科技論文》2017年02期

【摘要】：提出了1種應(yīng)用于SiC BJT脈沖放電的快速驅(qū)動(dòng)電路,采用電容儲能的思想設(shè)計(jì)了SiC BJT驅(qū)動(dòng)電路和脈沖放電電路。脈沖放電時(shí),整個(gè)電路與電網(wǎng)間由高阻隔離;采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了充電電路;驅(qū)動(dòng)電路基于硅MOSFET和硅BJT 2級電路,對光耦電流進(jìn)行快速功率放大。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,SiC BJT在脈沖放電時(shí),基極電流從0過渡到器件導(dǎo)通所需電流的上升時(shí)間約為6ns。所提出的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)思想對高壓雙極型功率半導(dǎo)體器件的快速驅(qū)動(dòng)開發(fā)具有啟發(fā)意義。
[Abstract]:A fast driving circuit applied to SiC BJT pulse discharge is proposed. The SiC BJT drive circuit and pulse discharge circuit are designed by the idea of capacitive energy storage.During pulse discharge, the whole circuit is separated from the power grid by high resistance. Darlington structure is used to realize the charging circuit. The driving circuit is based on silicon MOSFET and silicon BJT 2 circuit to amplify the photocoupler current quickly.The experimental results show that the rising time of the base current from 0 to the conduction of the device is about 6ns during the pulse discharge of sic BJT.The proposed design idea of driving circuit is instructive for the fast driving development of high voltage bipolar power semiconductor devices.
【作者單位】： 湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院;
【基金】：湖南省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015JJ3043) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金資助項(xiàng)目(20120161120012) 國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61404048,51577054)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1712130