本文選題：高壓發(fā)光二極管(LED)　切入點(diǎn)：分段恒流驅(qū)動(dòng)　出處：《合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年08期

【摘要】：文章基于CSMC 0.8μm 700VBCD工藝,采用檢測(cè)驅(qū)動(dòng)電流的方式,設(shè)計(jì)了1款非隔離4段式線性高壓恒流發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)驅(qū)動(dòng)芯片,即將4個(gè)700 V雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(double-diffused metal oxide semiconductor,DMOS)功率開(kāi)關(guān)管集成在芯片內(nèi)部以實(shí)現(xiàn)分段點(diǎn)亮控制,在電壓上升和下降階段均能有效地完成對(duì)4段高壓LED的分段驅(qū)動(dòng)。仿真結(jié)果表明,在70~120Ω范圍內(nèi)調(diào)節(jié)片外限流電阻阻值可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流在29.5~44.5mA范圍內(nèi)連續(xù)改變,以調(diào)節(jié)LED光照強(qiáng)度。
[Abstract]:Based on CSMC 0. 8 渭 m 700VBCD technology, a non isolated 4 segment linear high voltage constant-current light-emitting diode (emitting) driver chip is designed by detecting the driving current.Four 700V double-diffused metal oxide semiconductor DMOSs are integrated into the chip to realize the piecewise lighting control, which can effectively drive the four-stage high voltage LED at both voltage rise and drop stages.The simulation results show that the continuous change of driving current in the range of 29.5~44.5mA can be realized by adjusting the resistance of off-chip current limiting in the range of 70 ~ 120 惟 to adjust the illumination intensity of LED.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61371025) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(2014HGCH0010)
【分類號(hào)】：TN312.8;TN402

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10 楊e，

本文編號(hào)：1711195