本文選題：MEMS紅外光源　切入點(diǎn)：硅納米結(jié)構(gòu)　出處：《儀表技術(shù)與傳感器》2017年06期

【摘要】：通過制備面向MEMS紅外光源的高輻射率多晶硅納米柱狀結(jié)構(gòu)和單晶硅納米孔結(jié)構(gòu),以提升紅外源表面輻射率,降低器件功耗。制備方法分別為反應(yīng)離子刻蝕(reactive-ion-etching,RIE)及等離子浸沒離子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工藝對(duì)單晶硅以及鋁電極掩膜的多晶硅表面調(diào)控修飾制備。并對(duì)2種納米硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行了吸收率測(cè)試,對(duì)鋁電極掩膜進(jìn)行了引線鍵合破壞拉力測(cè)試。測(cè)試表明,納米硅結(jié)構(gòu)在3~5μm波段的輻射率可以達(dá)到85%以上,暴露在刻蝕氣氛后的鋁電極掩膜引線鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到器件工藝要求。
[Abstract]:In order to improve the surface emissivity and reduce the power consumption of the infrared source, the high emissivity polysilicon nanostructure and the monocrystalline silicon nano-pore structure are fabricated for MEMS infrared light source.The preparation methods were prepared by reactive ion etching (rie) and plasma immersion ion implantation (immerse ion implantation-PIII) to prepare monocrystalline silicon and aluminum electrode mask by polycrystalline silicon surface modification.The absorptivity of two kinds of nanocrystalline silicon structures and the tensile force of lead bonding failure of aluminum electrode mask were tested.The results show that the emissivity of nanocrystalline silicon structure can reach more than 85% at the wavelength of 3 ~ 5 渭 m, and the bonding strength of the aluminum electrode mask leads after exposure to etching atmosphere can meet the requirements of the device process.
【作者單位】： 中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院微電子研究所智能感知研發(fā)中心;沈陽理工大學(xué)理學(xué)院;昆山光微電子有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61335008,61601455) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(2015AA042605) 中科院-北大率先合作團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(XMXX201200019933) 沈陽市科技計(jì)劃項(xiàng)目(F16210600)
【分類號(hào)】：TN212;TN304.12

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本文編號(hào)：1704587