本文選題：PLL　切入點(diǎn)：抗輻射加固設(shè)計(jì)　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年06期

【摘要】：提出了一種新穎的抗單粒子瞬變效應(yīng)(SET)電荷泵結(jié)構(gòu),通過在電荷泵和低通濾波器間增加數(shù)控抑制電路(NCR),對(duì)單粒子輻射產(chǎn)生的電流干擾脈沖進(jìn)行實(shí)時(shí)抑制處理,降低電流脈沖的幅度和寬度,從而減少振蕩器控制電壓的波動(dòng),降低系統(tǒng)的抖動(dòng),采用130nm CMOS工藝,與未加固電路對(duì)比,該電路可以降低電荷泵控制電流波動(dòng)60%以上,注入電流處頻率穩(wěn)定度達(dá)到8e-4.
[Abstract]:A novel charge pump structure against single particle transient effect (set) is proposed. By adding a numerical control suppression circuit between charge pump and low pass filter, the current interference pulse generated by single particle radiation is suppressed in real time.The amplitude and width of current pulse are reduced so as to reduce the fluctuation of the control voltage of the oscillator and the jitter of the system. By using the 130nm CMOS process, compared with the unreinforced circuit, the circuit can reduce the fluctuation of the current controlled by the charge pump by more than 60%.The frequency stability at the injection current reaches 8e-4.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院;電子科技大學(xué)電子科學(xué)技術(shù)研究院;
【分類號(hào)】：TN432

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