本文選題：單層MoS_2　切入點(diǎn)：化學(xué)氣相沉積　出處：《杭州電子科技大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：二硫化鉬(MoS_2)是一種類石墨烯材料,單層MoS_2是直接帶隙半導(dǎo)體材料,彌補(bǔ)了零帶隙石墨烯的不足。由于單層MoS_2擁有良好的光電性能,成為制備光電器件的最佳選擇。然而,制備大面積大尺寸的單層MoS_2非常困難,無法滿足大規(guī)模制造光電器件的需求。在本文中使用化學(xué)氣相沉積(CVD)法生長大尺寸高質(zhì)量的單層MoS_2,其間涉及均勻形核和非均勻形核兩種不同形核方式。在非均勻形核法中使用氧化石墨烯量子點(diǎn),石墨烯量子點(diǎn)和h-BN作為形核劑來提高單層MoS_2的尺寸和實(shí)驗(yàn)的重復(fù)率。并且使用原子力顯微鏡,掃描電鏡,PL光譜和Raman光譜對生長出來的單層MoS_2進(jìn)行表征測試。生長期間同時發(fā)現(xiàn)不同顏色的菱形MoS_2薄片,通過各種表征測試發(fā)現(xiàn)紫色菱形MoS_2薄片擁有良好的發(fā)光強(qiáng)度,它的發(fā)光強(qiáng)度是微機(jī)械剝離法制備的單層MoS_2的8倍。本文的研究會使得單層MoS_2在光電器件擁有更廣泛的應(yīng)用。
[Abstract]:Molybdenum disulfide (MoS _ 2) is a kind of graphene material, and monolayer MoS_2 is a direct band-gap semiconductor material, which makes up for the deficiency of zero-band gap graphene. Because monolayer MoS_2 has good photoelectric properties, it is the best choice to fabricate optoelectronic devices. It is very difficult to prepare monolayer MoS_2 with large area and large size. In this paper, the chemical vapor deposition (CVD) method is used to grow large size and high quality monolayer MoS _ 2, which involves two different nucleation modes: homogeneous nucleation and non-uniform nucleation. The use of graphene oxide quantum dots in nucleation, Graphene quantum dots and h-BN are used as nucleating agents to increase the size of monolayer MoS_2 and the repeatability of experiments. The monolayer MoS_2 was characterized by scanning electron microscopy (SEM) PL spectra and Raman spectra. Different color rhombohedral MoS_2 films were also found during the growth, and purple rhombohedral MoS_2 wafers were found to have good luminescence intensity by various characterization tests. The luminescence intensity of monolayer MoS_2 prepared by micromechanical stripping method is 8 times that of monolayer MoS_2. The research in this paper will make monolayer MoS_2 widely used in optoelectronic devices.
【學(xué)位授予單位】：杭州電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TN304

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本文編號：1695962