本文選題：激光技術　切入點：可控調節(jié)　出處：《激光技術》2017年06期

【摘要】：為了實現(xiàn)高功率905nm InGaAs脈沖激光二極管激光脈沖寬度和峰值功率可調,采用現(xiàn)場可編輯門陣列產(chǎn)生觸發(fā)脈沖、集成模塊EL7104C作為金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)驅動、以MOSFET為核心開關器件控制高壓模塊和儲能電容之間充放電的方法,設計了脈沖激光二極管驅動電路,對驅動電流特性進行了理論分析和實驗驗證,取得了不同電容和高壓條件下的電流脈寬和峰值數(shù)據(jù),分析了具體變化關系,并以此進行了光譜和功率-電流特性測試。結果表明,影響驅動電流脈寬和峰值電流的關鍵因素是電容大小和充電高壓,脈沖激光二極管驅動電流峰值在0A~40A、脈寬20ns~100ns時可控調節(jié),脈沖激光二極管最大峰值功率輸出可達40W,實現(xiàn)了脈沖式半導體激光器輸出功率和脈沖寬度的可控調節(jié)。該設計與分析對近紅外高功率脈沖激光器的可控驅動設計具有一定的實用參考意義。
[Abstract]:In order to realize the adjustable pulse width and peak power of high power 905nm InGaAs pulse laser diode, the field editable gate array is used to generate trigger pulse, and the integrated module EL7104C is used as the MOSFET driver of metal oxide semiconductor field effect transistor. Using MOSFET as the core switch device to control the charge and discharge between the high voltage module and the energy storage capacitor, a pulse laser diode driving circuit is designed, and the driving current characteristics are theoretically analyzed and verified by experiments. The current pulse width and peak value data under different capacitance and high voltage conditions are obtained, and the specific variation relations are analyzed. The spectral and power-current characteristics are measured accordingly. The results show that, The key factors affecting the driving current pulse width and peak current are capacitance size and charging high voltage. The peak value of driving current of pulse laser diode is 0 An 40A, and the pulse width 20ns~100ns is controlled. The maximum peak power output of pulse laser diode can reach 40W, which realizes the controllable regulation of output power and pulse width of pulse semiconductor laser. The design and analysis of controllable drive design for near infrared high power pulse laser are presented. It has certain practical reference significance.
【作者單位】： 重慶大學光電工程學院;
【分類號】：TN24

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本文編號：1682450