本文選題：光學(xué)器件　切入點(diǎn)：量子點(diǎn)　出處：《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》2017年07期

【摘要】：在量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)中,由于電荷傳輸層材料能帶和遷移率的差異,不可避免地存在電荷注入不平衡的問題。為了制備電荷注入盡可能平衡的高性能QLED,通常利用界面調(diào)控。結(jié)合QLED的結(jié)構(gòu),分別從陽(yáng)極界面調(diào)控、陰極界面調(diào)控和兩相界面調(diào)控三個(gè)方面綜述了近年來QLED界面調(diào)控的研究進(jìn)展,分析了界面調(diào)控機(jī)理及其對(duì)QLED性能的影響。指出了QLED目前存在的問題,并展望了其未來的發(fā)展趨勢(shì)。
[Abstract]:In quantum dot light-emitting diode (QLED), due to the difference in band and mobility of the charge transport layer material, The problem of charge injection imbalance is inevitable. In order to prepare high performance QLED with charge injection as balanced as possible, interface regulation is usually used. In combination with the structure of QLED, the interface is regulated from the anode interface, respectively. The research progress of QLED interface regulation in recent years is reviewed in three aspects: cathode interface regulation and two-phase interface regulation. The mechanism of interface regulation and its influence on QLED performance are analyzed. The problems existing in QLED are pointed out. The development trend in the future is prospected.
【作者單位】： 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家973計(jì)劃(2013CB632101)
【分類號(hào)】：TN312.8

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本文編號(hào)：1677060