發(fā)布時(shí)間：2018-03-28 12:43

  本文選題：MOS器件　切入點(diǎn)：振蕩器　出處：《福州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年05期

【摘要】：提出一種全MOS器件補(bǔ)償溫度和溝調(diào)效應(yīng)電流控制環(huán)形振蕩器,以減小通信時(shí)鐘恢復(fù)電路振蕩器的振蕩頻率偏移.與傳統(tǒng)振蕩器相比,該振蕩器采用全MOS器件設(shè)計(jì)溫度和偏置電流補(bǔ)償電路,在增強(qiáng)可靠性的情況下降低了溫度和溝調(diào)效應(yīng)引起的頻率偏移.電路采用0.35μm標(biāo)準(zhǔn)MOS工藝設(shè)計(jì),通過與傳統(tǒng)振蕩器性能進(jìn)行仿真比較,該方法振蕩頻率的偏移量得到明顯改善.
[Abstract]:A full MOS compensation temperature and trench effect current controlled ring oscillator is proposed to reduce the oscillation frequency offset of the communication clock recovery circuit oscillator. The full MOS device is used to design the temperature and offset current compensation circuit, which reduces the frequency offset caused by temperature and trench effect in the case of enhanced reliability. The circuit is designed in 0.35 渭 m standard MOS process. Compared with the traditional oscillator, the deviation of the oscillation frequency of this method is improved obviously.
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院福建省集成電路設(shè)計(jì)中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61501122)
【分類號(hào)】：TN752

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 江金光;李天望;;低電壓環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)[J];通信學(xué)報(bào);2007年06期

2 盧容德;;一種單穩(wěn)型環(huán)形振蕩器的提出及其應(yīng)用[J];長江大學(xué)學(xué)報(bào)(自科版)理工卷;2007年04期

3 周宦銀;馬果花;田彥軍;;門電路環(huán)形振蕩器仿真研究[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2008年02期

4 韓文超;;環(huán)形振蕩器[J];集成電路應(yīng)用;1986年02期

5 奚龍發(fā);環(huán)形振蕩器的原理及應(yīng)用[J];中外技術(shù)情報(bào);1995年09期

6 David Bell,冰;精密的環(huán)形振蕩器[J];電子產(chǎn)品世界;1997年01期

7 高永紅,徐婕;一種實(shí)用的電壓控制環(huán)形振蕩器[J];微電子技術(shù);2002年06期

8 吳苗松,張奇,陳勇;一種基于電流舵邏輯的環(huán)形振蕩器[J];微電子學(xué);2005年04期

9 汪鵬;陳躍寧;徐征;;改進(jìn)型電阻負(fù)載環(huán)形振蕩器[J];沈陽師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2009年04期

10 彭杰;張崢;范濤;黃強(qiáng);袁國順;;創(chuàng)新單級(jí)環(huán)形振蕩器的研制[J];半導(dǎo)體技術(shù);2009年11期

相關(guān)會(huì)議論文 前7條

1 張磊;孫向南;狄重安;郭云龍;溫雨耕;于貴;劉云圻;;基于有機(jī)場效應(yīng)管的環(huán)形振蕩器制備[A];全國第八屆有機(jī)固體電子過程暨華人有機(jī)光電功能材料學(xué)術(shù)討論會(huì)摘要集[C];2010年

2 秦濟(jì)龍;鄭旭強(qiáng);王恩東;李福樂;張春;李仁剛;李拓;;環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)淺析[A];第十六屆計(jì)算機(jī)工程與工藝年會(huì)暨第二屆微處理器技術(shù)論壇論文集[C];2012年

3 唐瑜;孟志琴;;等離子體工藝對MOS器件的損傷[A];中國電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)第十三屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文選[C];2006年

4 費(fèi)慶宇;;MOS器件柵氧化層X輻照損傷和靜電損傷的機(jī)理研究[A];1998電子產(chǎn)品防護(hù)技術(shù)研討會(huì)論文集[C];1998年

5 羅尹虹;郭紅霞;張鳳祁;姚志斌;何寶平;岳素格;;0.6μm MOS器件穩(wěn)態(tài)高劑量率電離輻射總劑量效應(yīng)研究[A];第十四屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（2）[C];2008年

6 羅尹虹;郭紅霞;張鳳祁;姚志斌;何寶平;岳素格;;0．6μm MOS器件穩(wěn)態(tài)高劑量率電離輻射總劑量效應(yīng)研究[A];第十四屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（下冊）[C];2008年

7 劉潔;孔學(xué)東;羅宏偉;周繼承;;MOS器件總劑量輻射效應(yīng)研究中的測試技術(shù)[A];第十一屆全國可靠性物理學(xué)術(shù)討論會(huì)論文集[C];2005年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 昆明 蘭得春 編譯;環(huán)形振蕩器[N];電子報(bào);2014年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前5條

1 王斌;硅基雙軸應(yīng)變MOS器件及其仿真關(guān)鍵技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

2 王豪;納米尺度MOS器件的量子模擬方法研究[D];武漢大學(xué);2009年

3 楊洪東;硅基應(yīng)變引入方法與MOS器件相關(guān)基礎(chǔ)研究[D];電子科技大學(xué);2010年

4 張鵬;納米MOS器件低頻噪聲關(guān)鍵問題研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

5 陳瀟瀟;光折變振蕩器中時(shí)空混沌控制與同步的研究[D];長春理工大學(xué);2017年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 余益飛;環(huán)形振蕩器物理不可克隆函數(shù)的比較策略及可重構(gòu)研究[D];南京航空航天大學(xué);2014年

2 王蕾;低溫漂環(huán)形振蕩器的分析與設(shè)計(jì)[D];南京郵電大學(xué);2015年

3 邢璐;數(shù)字集成電路老化故障預(yù)測和老化監(jiān)測技術(shù)研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2014年

4 郭義龍;基于反饋控制的高穩(wěn)定可調(diào)節(jié)環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2015年

5 黃哲;硬件木馬電路設(shè)計(jì)與檢測[D];華南理工大學(xué);2016年

6 張國棟;一種高效高安全性IP保護(hù)方法的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];天津大學(xué);2016年

7 史慧;一種具有溫度和工藝參數(shù)漂移補(bǔ)償效應(yīng)的環(huán)形振蕩器[D];西安電子科技大學(xué);2008年

8 彭興偉;環(huán)形振蕩器延遲仿真[D];上海交通大學(xué);2007年

9 李學(xué)軍;帶溫度和工藝補(bǔ)償?shù)沫h(huán)形振蕩器的設(shè)計(jì)[D];湖南大學(xué);2012年

10 王瑞玉;MCU中時(shí)鐘產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)[D];遼寧大學(xué);2012年

，

本文編號(hào)：1676378