本文選題：多晶硅鑄錠　切入點(diǎn)：紅外檢測(cè)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年07期

【摘要】：研究了多晶硅鑄錠過(guò)程中,硅錠內(nèi)部紅外探傷測(cè)試中顯示黑斑位置晶體缺陷的雜質(zhì)組成,并根據(jù)雜質(zhì)成分推導(dǎo)了此種缺陷的形成機(jī)理和條件。采用光致發(fā)光(PL)技術(shù)、掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線(xiàn)能譜儀(EDS)對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行了表征與分析。結(jié)果顯示,形成陰影的夾雜在晶界中存在的形態(tài)主要為針狀或薄片狀,其組成成分主要為C,N和Si元素。而Si_3N_4的出現(xiàn)可能有兩個(gè)原因:一是Si_3N_4涂層脫落而沉積在晶界中;二是溶解在液相中的N局部過(guò)飽和。此外,結(jié)晶過(guò)程中,SiC也隨之成核并生長(zhǎng),在晶界上形成夾雜物,同時(shí)伴隨著微缺陷的增加。據(jù)此提出了去除多晶硅錠內(nèi)部陰影的幾點(diǎn)措施。
[Abstract]:In the process of polycrystalline silicon ingot, the impurity composition of crystal defect at black spot position in infrared flaw detection test of silicon ingot was studied, and the formation mechanism and condition of the defect were deduced according to the impurity composition. Photoluminescence (PL) technique was used. The impurity was characterized and analyzed by scanning electron microscope (SEM) and X-ray energy spectrometer (EDS). The main components are Con N and Si elements. There may be two reasons for the appearance of Si_3N_4: one is that Si_3N_4 coating is deposited in grain boundary, the other is partial supersaturation of N dissolved in liquid phase. In addition, sic also nucleates and grows during crystallization. Inclusions are formed at grain boundaries and accompanied by the increase of microdefects. Accordingly, some measures to remove the internal shadow of polycrystalline silicon ingot are proposed.
【作者單位】： 光伏材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;英利能源(中國(guó))有限公司;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2015AA050301)
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4;TN304.12

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