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寬譜光源對CMOS陣列電串擾的影響

發(fā)布時間:2018-03-25 10:31

  本文選題:寬譜光源 切入點:陣列探測器 出處:《紅外與激光工程》2017年01期


【摘要】:CMOS陣列探測器中,像素單元間的串擾會影響其成像質量。為了解不同光源對CMOS電串擾的影響,針對CMOS圖像傳感器的電串擾特性建立了一個分析模型,結合CMOS圖像傳感器的工作原理定量計算了單色光、寬譜光源入射條件下的電串擾特性。分析結果表明CMOS圖像傳感器的電串擾隨單色光波長、寬譜光源譜寬和中心波長的增大而增大,但中心波長與單色光波長相同的寬譜光源,其對電串擾的影響大于單色光。輻照功率為600μW,單色光波長為1 064 nm,電串擾大小約為50.611 m V;寬譜光源中心波長為1 064 nm,譜寬為400 nm時,電串擾的大小約為50.914 m V,相比于單色光電串擾增加了約0.303 m V。
[Abstract]:In CMOS array detector, crosstalk between pixel units will affect the imaging quality. In order to understand the influence of different light sources on CMOS crosstalk, an analytical model is established for the characteristics of CMOS image sensor. Combined with the working principle of CMOS image sensor, the characteristics of electric crosstalk under the condition of monochromatic light and wide spectrum light source are calculated quantitatively. The results show that the electric crosstalk of CMOS image sensor depends on the monochromatic wavelength. The width and center wavelength of wide spectrum light source increase, but the center wavelength is the same as that of monochromatic light source. Its influence on the electric crosstalk is greater than that of monochromatic light, the irradiation power is 600 渭 W, the wavelength of monochromatic light is 1 064 nm, the magnitude of electric crosstalk is about 50.611 MV, the center wavelength of wide spectrum light source is 1 064 nm and the spectral width is 400 nm. The magnitude of electric crosstalk is about 50.914 MV, which is 0.303 MV higher than that of monochromatic optoelectronic crosstalk.
【作者單位】: 四川大學電子信息學院;中國工程物理研究院流體物理研究所;
【基金】:四川省教育廳創(chuàng)新團隊資助項目(13TD0048)
【分類號】:TN386.1

【參考文獻】

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