本文選題：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換　切入點(diǎn)：波導(dǎo)　出處：《陜西師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年04期

【摘要】：基于簡(jiǎn)并四波混頻(DFWM)方法,研究了具有氮化硅中間層的氫化非晶硅(a-Si∶H-Si3N4)波導(dǎo)中的寬帶波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。結(jié)果表明:通過沉積氮化硅層后的波導(dǎo)不但保持氫化非晶硅(a-Si∶H)波導(dǎo)的原有優(yōu)點(diǎn),而且在通信波段內(nèi)降低傳輸損耗并增強(qiáng)非線性效應(yīng)。在相同條件下,改善后的a-Si∶HSi3N4波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換效率和轉(zhuǎn)換帶寬均得到顯著提高。通過理論計(jì)算對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),表明利用該波導(dǎo)可實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換帶寬為490nm,轉(zhuǎn)換效率為11.4dB。
[Abstract]:Based on the degenerate four-wave mixing (DFWM) method, the broadband wavelength conversion in hydrogenated amorphous silicon nitride (a-Si: SiH-Si _ 3N _ 4) waveguides with silicon nitride interlayer is studied. The results show that the waveguides deposited by silicon nitride not only retain the advantages of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: h)] waveguides. Moreover, the transmission loss is reduced and the nonlinear effect is enhanced in the communication band. Under the same conditions, the conversion efficiency and bandwidth of the improved a-Si:HSi3N4 waveguide are improved significantly. The theoretical calculation is used to optimize the design of the waveguide. It is shown that the wavelength conversion bandwidth is 490nm and the conversion efficiency is 11.4 dB.
【作者單位】： 陜西師范大學(xué)物理學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院;西安石油大學(xué)電子工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11474191)
【分類號(hào)】：TN252

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本文編號(hào)：1660775