本文選題：半導(dǎo)體技術(shù)　切入點：小信號模型　出處：《紅外與毫米波學(xué)報》2017年05期

【摘要】：對納米級金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管器件提出了改進(jìn)的小信號模型.該改進(jìn)模型中綜合考慮了饋線的趨膚效應(yīng)和器件多胞結(jié)構(gòu)的影響.提取過程中,根據(jù)可縮放規(guī)律,由傳統(tǒng)模型的參數(shù)推導(dǎo)出元胞參數(shù).將模型應(yīng)用于8×0.6×12μm(柵指數(shù)×柵寬×元胞數(shù)量)、柵長為90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范圍內(nèi)的建模,測試所得S參數(shù)和模型仿真所得S參數(shù)能夠高度地吻合.
[Abstract]:An improved small-signal model is proposed for nanoscale metal oxide semiconductor FET devices. The skin effect of feeders and the effect of the polycell structure of the devices are considered in the improved model. In the extraction process, according to the scalable law, The cellular parameters are derived from the parameters of the traditional model. The model is applied to the modeling of MOSFET devices with gate length of 90 nm and 8 脳 0.6 脳 12 渭 m (gate index 脳 gate width 脳 cell quantity) in the range of 1 ~ 40 GHz. The S parameters obtained from the test are in good agreement with those obtained from the model simulation.
【作者單位】： 華東師范大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子工程系;
【基金】：Supported by the National Natural Science Foundation of China(61474044)
【分類號】：TN386

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本文編號：1655280