本文選題：側(cè)向耦合分布反饋激光器　切入點：LC-DFB　出處：《應用激光》2017年05期

【摘要】：完成1 880nm高階銻化鎵側(cè)向耦合分布反饋半導體激光器的制備。采用側(cè)向耦合(Lateral coupled)結(jié)構使得外延材料可以一次生長完成,避免了外延層中Al組分容易氧化的特性導致的二次外延生長困難的問題,采用接觸式紫外光刻技術制備了高階光柵,大大降低了激光器的制備成本,實現(xiàn)了室溫1 880nm單模連續(xù)波長激射,最大輸出功率14.5mW,波長隨溫度漂移速率0.000 5nm/mA。
[Abstract]:The fabrication of 1 880nm high order Gallium antimonide side-coupled distributed feedback semiconductor laser is completed. The problem of secondary epitaxial growth caused by the easy oxidation of Al component in the epitaxial layer is avoided. High order gratings are fabricated by contact UV lithography, which greatly reduces the cost of laser fabrication. The room temperature 1 880nm single mode continuous wavelength laser is realized with the maximum output power of 14.5 MW and the wavelength drift rate of 0.000 nm / mA.
【作者單位】： 北京航空航天大學物理與核能工程學院;中科院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室;中國科學院大學材料科學與光電技術學院;
【基金】：國家973計劃資助項目(項目編號:2014CB643903,2013CB932904) 國家重大儀器專項資助項目(項目編號:2012YQ140005) 國家自然科學基金資助項目(項目編號:61435012,U1037602,61290303) 中國科學院戰(zhàn)略先導專項(B)資助項目(項目編號:XDB01010200)
【分類號】：TN248

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本文編號：1654175