本文選題：側(cè)向耦合分布反饋激光器　切入點(diǎn)：LC-DFB　出處：《應(yīng)用激光》2017年05期

【摘要】：完成1 880nm高階銻化鎵側(cè)向耦合分布反饋半導(dǎo)體激光器的制備。采用側(cè)向耦合(Lateral coupled)結(jié)構(gòu)使得外延材料可以一次生長(zhǎng)完成,避免了外延層中Al組分容易氧化的特性導(dǎo)致的二次外延生長(zhǎng)困難的問(wèn)題,采用接觸式紫外光刻技術(shù)制備了高階光柵,大大降低了激光器的制備成本,實(shí)現(xiàn)了室溫1 880nm單模連續(xù)波長(zhǎng)激射,最大輸出功率14.5mW,波長(zhǎng)隨溫度漂移速率0.000 5nm/mA。
[Abstract]:The fabrication of 1 880nm high order Gallium antimonide side-coupled distributed feedback semiconductor laser is completed. The problem of secondary epitaxial growth caused by the easy oxidation of Al component in the epitaxial layer is avoided. High order gratings are fabricated by contact UV lithography, which greatly reduces the cost of laser fabrication. The room temperature 1 880nm single mode continuous wavelength laser is realized with the maximum output power of 14.5 MW and the wavelength drift rate of 0.000 nm / mA.
【作者單位】： 北京航空航天大學(xué)物理與核能工程學(xué)院;中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家973計(jì)劃資助項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):2014CB643903,2013CB932904) 國(guó)家重大儀器專(zhuān)項(xiàng)資助項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):2012YQ140005) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):61435012,U1037602,61290303) 中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略先導(dǎo)專(zhuān)項(xiàng)(B)資助項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):XDB01010200)
【分類(lèi)號(hào)】：TN248

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本文編號(hào)：1654175