本文選題：空穴俘獲　切入點(diǎn)：超快瞬態(tài)吸收譜　出處：《華東師范大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：納米晶體的表面態(tài)對(duì)材料的光電性質(zhì)有重要的影響,其中一個(gè)重要過程就是表面對(duì)載流子的俘獲作用。載流子動(dòng)力學(xué)通常采用時(shí)間分辨光致熒光譜和瞬態(tài)吸收譜來間接測(cè)得,這些方法是基于載流子帶邊激發(fā)態(tài)的退布居過程。由于載流子俘獲過程以及輻射和非輻射復(fù)合過程均對(duì)帶邊激發(fā)態(tài)退布居過程有貢獻(xiàn),因此只能在低激發(fā)功率下結(jié)合多種探測(cè)技術(shù)才能解析出空穴俘獲過程。本文提出了一種直接探測(cè)納米晶體表面空穴俘獲過程的新技術(shù)：泵浦-自旋極化-探測(cè)技術(shù)。泵浦光產(chǎn)生電子-空穴對(duì),空穴表面俘獲過程將被激發(fā)的電子-空穴對(duì)空間上分離,使核上帶有負(fù)電,因此增強(qiáng)了自旋極化脈沖產(chǎn)生的電子自旋信號(hào)。自旋增強(qiáng)瞬態(tài)信號(hào)與泵浦-自旋極化光延遲時(shí)間的函數(shù)關(guān)系反映了一個(gè)快俘獲過程和一個(gè)慢俘獲過程,俘獲時(shí)間分別為～10ps和～100ps。這種新技術(shù)在較高激發(fā)功率下也可獲得空穴俘獲的動(dòng)力學(xué)過程�？昭ǚ@動(dòng)力學(xué)的功率依賴體現(xiàn)了空穴表面俘獲飽和過程和俘獲點(diǎn)的相對(duì)數(shù)目,表明空穴表面俘獲點(diǎn)有三種納米顆粒分布：一種僅對(duì)應(yīng)快俘獲過程,另一種僅對(duì)應(yīng)慢俘獲過程,而第三種則同時(shí)包括快慢兩個(gè)俘獲過程。
[Abstract]:Has an important influence on the photoelectric properties of material surface state of nano crystal, one of the important role of the capture process is on the surface of the carrier. The carrier dynamics usually by time-resolved photoluminescence spectra and transient absorption spectrum is measured indirectly, these methods are back cloth carrier with the excited state based on the ranking process. The carrier capture process and radiative and non radiative recombination processes are excited to bring back side population process contribute, so can only be combined with a variety of detection technology to resolve the hole capture process at low excitation power. This paper presents a new technique for direct detection of nano crystal surface hole trapping process: Pump spin polarization detection technology. The pump generated electron hole pairs, the hole surface trapping process will be excited by the electron hole pairs are spatially separated, the nucleus of the negatively charged, so the enhanced spin Electron spin polarization pulse signal generated. Spin enhanced transient signal and pump - spin polarized light delay function of time reflects a fast capture process and a slow capture process, capture time respectively to dynamic process of 10ps and to the new technology 100ps. at high excitation power can also be obtained by hole trapping power. The dependence of hole trapping dynamics reflects the relative number of hole surface to capture and capture the saturation process, shows that there are three kinds of hole surface trapping point distribution of nanoparticles: a corresponding only fast capture process, another only corresponding slow capture process, while the third one at the same time, including the speed of the two capture process.

【學(xué)位授予單位】：華東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：O471.1

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本文編號(hào)：1650514