本文選題：GaSb　切入點(diǎn)：表面鈍化　出處：《長春理工大學(xué)》2017年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：GaSb材料作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,是實(shí)現(xiàn)高性能中紅外波段激光器的首選材料,在激光制導(dǎo)、光通訊等軍事、民用領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。但GaSb材料表面化學(xué)性質(zhì)活潑,具有極高的表面態(tài)密度,嚴(yán)重影響了光電子器件的性能。而表面鈍化可以有效減少表面態(tài)密度,提高材料表面發(fā)光強(qiáng)度,因此開展GaSb材料的表面鈍化研究工作具有極其重要的意義。針對濕法硫鈍化會引入新的表面態(tài)及鈍化過程不易控制等缺點(diǎn),本文提出基于原子層刻蝕的氮鈍化方法,在等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)中,利用氮等離子體對GaSb材料表面進(jìn)行精確的原子層刻蝕技術(shù),得到了氮鈍化最佳的工藝條件。在不同氮鈍化實(shí)驗中,有效減少了表面氧化層,提高了n型GaSb材料的光致發(fā)光強(qiáng)度。氮鈍化中實(shí)驗條件的改變將對Ga(3d)能級和Sb(3d)能級及相應(yīng)化學(xué)成鍵產(chǎn)生重要影響。通過鈍化穩(wěn)定性實(shí)驗表明,氮鈍化在15天內(nèi)的穩(wěn)定性較好,能夠抑制二次氧化問題。并且,根據(jù)AFM測試得出,鈍化處理后的樣品也具有較好的平整度。本文通過氮鈍化對GaSb材料的處理方法,達(dá)到良好的鈍化效果,并具有較好的穩(wěn)定性,因此本研究工作為提高GaSb基半導(dǎo)體激光器性能,改進(jìn)GaSb基半導(dǎo)體激光器鈍化工藝奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:As an important class 鈪，

本文編號：1643866