本文選題：垂直梯度凝固(VGF)　切入點：鍺單晶　出處：《半導體技術》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用垂直梯度凝固(VGF)法生長單晶時,其溫度梯度較低,生長速率較小,目前已成為生長大直徑、低位錯密度晶體的主流技術之一。在VGF法生長單晶的過程中,籽晶的熔接工藝直接影響著單晶生長的成敗。研究了拉速器速度、保溫時間及石英棉用量對6英寸(1英寸=2.54 cm)鍺單晶VGF生長中籽晶熔接的影響,并確定了最佳的籽晶熔接工藝。研究結果發(fā)現,當拉速器速度為3~4 mm/h、保溫時間為75~100 min、石英棉用量為15~20 g時,實現了對籽晶熔接工藝的精準控制,熔接長度為12~22 mm,位錯密度小于500 cm~(-2),有效地降低了生產成本,提高了生產效率和單晶率。
[Abstract]:The temperature gradient and growth rate of single crystal grown by vertical gradient solidification method are lower and the growth rate is smaller. At present, it has become one of the mainstream techniques to grow large diameter and low dislocation density crystals. In the process of VGF growth of single crystals, The effect of rapier speed, holding time and the amount of quartz cotton on the growth of germanium single crystal VGF was studied. The optimum technology of seed welding was determined. The results showed that the precise control of seed fusion process was realized when the speed of the rapier was 3mm / h, the holding time was 75 ~ 100 min, and the dosage of quartz cotton was 15 ~ 20 g. The welding length is 12 ~ 22 mm and the dislocation density is less than 500 cm ~ (-1) ~ (-2), which can effectively reduce the production cost and increase the production efficiency and the single crystal rate.
【作者單位】： 云南鑫耀半導體材料有限公司;
【分類號】：TN304

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本文編號：1642901