本文選題：中電壓大功率　切入點(diǎn)：絕緣柵雙極性晶體管　出處：《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年04期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：目前已有場(chǎng)終止型絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型未專(zhuān)門(mén)針對(duì)中電壓大功率IGBT模塊搭建,不能準(zhǔn)確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上,提出引入IGBT基區(qū)存儲(chǔ)電荷造成的等效電容及模塊封裝鍵合絲帶來(lái)的寄生電感,考慮反并聯(lián)PIN二極管行為模型,從而有針對(duì)性地實(shí)現(xiàn)了完整中電壓大功率IGBT模塊行為模型。同時(shí)提出了新的米勒電容函數(shù)擬合方法,量化分析行為模型完整開(kāi)關(guān)過(guò)程中典型行為與模型參數(shù)的關(guān)系,通過(guò)較簡(jiǎn)便的方法實(shí)現(xiàn)了模型參數(shù)的提取。最后在Pspice環(huán)境下實(shí)現(xiàn)了一種3.3k V/1.5k A等級(jí)IGBT行為模型,并通過(guò)在Buck電路下仿真與實(shí)驗(yàn)波形對(duì)比證明了該行為模型的可行性和有效性。
[Abstract]:At present, the behavior model of IGBT and the IGBT model in simulation software have not been built specifically for medium-voltage and high-power IGBT modules. Based on the existing behavior model, the equivalent capacitance caused by the introduction of IGBT base storage charge and the parasitic inductance caused by module encapsulation bonding wire are proposed. Considering the behavior model of anti-parallel PIN diodes, the behavior model of integrated medium-voltage and high-power IGBT modules is realized. A new capacitive function fitting method of Hans Muller is proposed. The relationship between the typical behavior and the model parameters in the complete switching process of the behavior model is quantitatively analyzed, and the extraction of the model parameters is realized by a simple method. Finally, a IGBT behavior model with a class of 3.3kV / 1.5kA is implemented under the Pspice environment. The feasibility and validity of the model are proved by comparing the simulated and experimental waveforms in Buck circuit.
【作者單位】： 海軍工程大學(xué)艦船綜合電力技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51177170;51277178);國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金(51407189)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：1639847